低频电子线路第6章模拟集成电路(2).pdf

2020-09-17 约小于1千字 64页立即下载

PSpice9功能简介PSpice是面向电子线路和集成电路PPT课件.ppt 选择Create建立对话框后，调出simulation setting对话框，如图1.14所示图1-14 C）在Analysis栏的下拉列表中选择Bias point选项。即设置分析类型为直流静态工作点分析，选择Pspice\Run功能选项或单击主工具栏的按钮来启动Pspice 程序执行仿真，并调出Pspice仿真窗口。选择View\Output File功能选项，这时会出现在输出波形图区出现一个输出文件窗口，如图1-15所示，在此窗口可以了解到电路中各节点的电压值及各支路的电流值，即电路的静态工作点。图1-15 d）通过观察电路中各节点电压和各支路电流，

2020-02-22 约5.45千字 61页立即下载

低频电子线路.pptx 2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;2019/11/20;201

2020-02-23 约小于1千字 64页立即下载

低频电子线路.ppt 《低频电子线路》*高电平选择电路若将VD1,VD2换向,将E加负值,则可变为高电平选择电路。以上电路若输入数字量，则为或门电路。第30页，共59页，星期日，2025年，2月5日《低频电子线路》*⒋稳压二极管及稳压电路稳压二极管正是利用PN结的“反向击穿特性”。稳压二极管可用于限幅和稳压。第31页，共59页，星期日，2025年，2月5日《低频电子线路》*⑴稳压二极管符号及特性第32页，共59页，星期日，2025年，2月5日《低频电子线路》*稳压二极管符号（图）第33页，共59页，星期日，2025年，2月5日《低频电子线路》*双向稳压管符号（图）第34页，共59页，星期日，2025年，2月5日《低

2025-05-26 约3.52千字 59页立即下载

2025-02-05 约4.77千字 44页立即下载

低频电子线路模拟试题及答案试卷.doc 模拟综合试卷一填充题集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a，b。通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。假设双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,那么输出电压为V；假设ui1=1500μV,ui2=500

2025-05-03 约8.8千字 19页立即下载

低频电子电路6 集成电路基础.ppt 线性电子电路主要内容引言 集成电路在结构上的特点基于制造工艺流程的标准性，同一硅基片上相邻区域元器件的参数误差可以控制在较小范围内，即可以在设计中采用对称的电路设计理念。集成器件的电容可以采用PN结的结电容，也可以采用二氧化硅绝缘方式得到；电阻则采用掺入一定杂质得到。为了避免占用较大的基片区域，大电容 ( 200 pF ) 和几十欧至几十千欧以上的电阻，可以采用电极外接分立元件方式完成，这样可以实现较精确参数选择和较理想的线性特性。此外，集成工艺不易实现电感。复合管：由两个或三个以上的管子组合而成 6.1 集成增益器件又称集成运算放大器集成增益器件

2017-12-09 约6.17千字 27页立即下载

低频电子线路解析.ppt 概述;3.1　MOS 场效应管;N; N 沟道 EMOS 管外部工作条件; N 沟道 EMOSFET 沟道形成原理; vDS 对沟道的控制(假设 vGS VGS(th) 且保持不变); 当 vDS 增加到使 vGD ? = VGS(th) 时 → A 点出现预夹断; 若考虑沟道长度调制效应; MOS 管仅依靠一种载流子(多子)导电，故称单极型器件。;　　由于 MOS 管栅极电流为零，故不讨论输入特性曲线。 ; NEMOS 管输出特性曲线;数学模型：; 饱和区;数学模型：; 截止区;　　由于 MOS 管 COX 很小，因此当带电物体(或人)靠近金属栅极时，感生电荷在 SiO2 绝缘层中

2017-05-03 约小于1千字 50页立即下载

低频电子线路PPT精要.ppt * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 转移特性曲线输出特性曲线 * PMOS管特点: 导电载流子为空穴 uGS (uDS )电压极性及iD电流流向与NMOS管相反绝缘栅场效应管 FET管特性汇总表P40 * 直流参数: 饱和漏极电流IDSS : uGS=0时的iD 值夹断电压UGS(off)

2017-03-20 约1.26万字 137页立即下载

低频电子线路精选内容.doc 低频电子线路实验指导书许文芳主编五邑大学电子电工实验中心二00三年十二月《低频电子线路实验指导书》目录实验一、二极管的基本应用实验二、晶体管单级放大电路实验三、差动放大电路实验四、集成运算放大器的基本应用实验五、晶体管电压放大器的实验研究与设计实验六、函数发生器的实验研究与设计实验七、直流稳压电源的设计与实验研究实验八、比较器电路设计性实验附录一、晶体管的判别与测试附录二、运算放大器的判别和测试附录三、设计性实验报告要求附录四、设计性实验报告举例《低频电子线路实验指导书》精选内容实验二晶体管低频电压放大电路一、实验目的加深理解

2018-04-08 约3.89千字 15页立即下载

低频电子线路第5章详解.ppt 例 2　图示电路，试在深度负反馈条件下估算 Avfs 。该电路为电流并联负反馈放大器。解：将输入端交流短路，即将 T1 管基极交流接地：则因此 is RC1 vo + - RL RC2 Rf RS T1 T2 if RE2 io 例 3　图示电路，试在深度负反馈条件下估算 Avfs 。该电路为电压并联负反馈。 (1)解：将反相输入端交流接地：则因此该电路为电压串联负反馈。 (2)解：将反相输入端交流开路：则因此 - + A R1 Rf +- vs vo if (图 1) - + A R1 Rf +- vs vo - + vf (图 2) 5.4　负反馈放大器的稳

2016-08-12 约6.38千字 42页立即下载

低频电子线路第4章详解.ppt 调零电路 T1 VCC REE VEE RC RC T2 RS RS VEE + - VO RW (发射极调零电路) T1 VCC REE RC RC T2 RS RS VEE + - VO RW (集电极调零电路) 　　调节电位器 RW ，改变两端发射极电位或集电极电阻，使静态工作时双端输出电压减小到零。 VIO 和 IIO 的温漂若环境温度、电源电压等外界因素变化：三极管参数变化 VIO 和 IIO 变化。其中温度变化引起的温漂最大。注意：调零电路可以克服失调，但不能消除温漂。 MOS 差放的失调因　IG ? 0 则 (mV 量级) 由两管参数(如 W/l、VG

2016-08-11 约1.13万字 82页立即下载

【低频电子线路 傅丰林】第7章.pdf 退出第7章直流稳压电源 771 退出目录 7.1整流与滤波…………………773 7.2线性集成稳压电路…………788 7.3开关型稳压电源……………806

2024-04-20 约1.45万字 43页立即下载

低频电子线路04-05b卷.pdf 命题人：审批人：试卷分类（A 卷或B 卷） B 邑大学试卷课程：频电子线路 专业：信息学院班级：学号：学期： 04 至 05 学年度二学期姓名：得分：一、选择填空题（28 分） 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），

2018-04-11 约1万字 6页立即下载

低频电子线路学习重点.ppt * * 第一章小结一、二极管 1、特性单向导电特性电容特性击穿特性温度特性 2、伏安特性 3、分析方法（1）图解法（2）折线近似法理想二极管模型恒压降模型 4、关于门限电压Ur UD0,二极管正向导通，但只是大于门限电压，电流才明显增长。硅管Ur≈0.6V，锗管Ur≈0.2V，二、晶体三极管 1、工作状态（1）放大状态（2）截止状态（2）饱和状态 2、放大状态时电流分配关系同一个电流传输过程，不同的描述方式。三、场效应管 1、工作状态（1）恒流状态（2）截止状态（2）可变电阻状态

2017-05-28 约1.49千字 12页立即下载