1建筑电气工程技术应用a_课件.ppt

(1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A （放大区）满足IC=?IB 当UCE大于一定的数值时，IC=?IB 2）输出特性 1.3 1.3.3 特性曲线 (1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 饱和区 截止区 放大区 有三个区 1.3 1.3.3 特性曲线 (1-*) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 饱和区 截止区 放大区 有三个区 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。即： IC=?IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 1.3 1.3.3 特性曲线 * (a)输入特性曲线 (b)输出特性曲线 1.4.1 常用半导体元器件 2、半导体三极管 3）三极管的主要参数 电流放大倍数 ： ，该值的大小反映了三极管的电流放大能力。可分为直流放大倍数和交流放大倍数。 * 2）三极管的特性 (a)输入特性曲线 (b)输出特性曲线 穿透电流ICEO：是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流。 集射极反向击穿电压UCEO（BR）：基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压。 1.4.1 常用半导体元器件 2、半导体三极管 * 2）三极管的特性 (a)输入特性曲线 (b)输出特性曲线 集电极最大电流ICM：集电极电流IC超过一定数值时，三极管的值将显著下降。 集电极最大允许功耗PCM：集电结最大允许承受的功率。 1.4.1 常用半导体元器件 2、半导体三极管 * 4）三极管在放大电路中的应用 放大电路 图1.37 放大电路作用框图 1.4.1 常用半导体元器件 2、半导体三极管 * 共发射极放大电路组成及工作原理图 工作原理： 需放大的信号电压 ui通过C1转换为放大电路的输入电流，与基极偏流叠加后加到晶体管的基极，基极电流iB的变化通过晶体管的以小控大作用引起集电极电流 iC变化，即iC= βiB；iC通过RC使电流的变化转换为电压的变化，即： uCE=UCC- iCRC，uo= iCRC； 1.4.1 常用半导体元器件 2、半导体三极管 * 共发射极放大电路组成及工作原理图 uCE=UCC- iCRC，uo= iCRC； 由这两个公式可以看出当 iC增大时，uCE就减小，所以 uCE的变化正好与 iC相反，这就是它们反相的原因，同时uCE经过C2滤掉了直流成分，耦合到输出端的交流成分即为输出电压 u0。若电路参数选取适当，u0的幅度将比 ui 幅度大很多，亦即输入的微弱小信号 ui 被放大了，这就是放大电路的工作原理。 1.4.1 常用半导体元器件 2、半导体三极管 * 4）三极管在放大电路中的应用 【例1.12】 某放大电路如图1.39所示，电路中RC=4kΩ, Rb=300kΩ, RL=4kΩ,三极管放大放大倍数β=50，请分析该放大电路并画出它的直流通路，求静态工作点，画出其交流通路，计算其电压放大倍数、输入输出电阻。 在放大电路分析中要分两种工作状态进行，一是静态工作状态，二是动态工作状态。 图1.39 例1.12电路图 1.4.1 常用半导体元器件 2、半导体三极管 * 图1.40 直流通路 （1）静态工作情况 静态时，三极管的IB、IC、UCE称为该放大电路的静态工作点。静态工作点的这三个量的大小是可以用估算法计算的。首先按直流信号在电路中流通的路径画出电路的直流通路。在直流电路中，电容视为开路，电感视为短路，该基本放大电路的直流电路如图1.40所示。 图1.39 例1.12电路图 1.4.1 常用半导体元器件 * 图1.40 直流通路 根据直流通路进行分析，可知： 1.4.1 常用半导体元器件 RC=4kΩ， Rb=300kΩ， RL=4kΩ，三极管放大放大倍数β