基于寿命测试的NAND Flash磨损均衡方法.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117809724A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410233584.0
(22)申请日2024.03.01
(71)申请人四川云海芯科微电子科技有限公司
地
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基于UVM的NANDFlash控制器验证平台设计
一、引言
随着半导体技术的飞速发展，NANDFlash存储器因其高密度、低功耗等优点被广泛应用于各种电子设备中。NANDFlash控制器作为连接Flash存储器与主机系统的桥梁，其性能和可靠性对整体系统至关重要。因此，对NANDFlash控制器的验证工作显得尤为重要。本文将介绍一种基于UVM（UniversalVerificationMethodology）的NANDFlash控制器验证平台设计方法。
二、UVM简介
UVM是一种通用的验证方法论，它提供了一套完整的验证环境，包括环境模型、测试平台、得分板等，用于验证复杂数字电路的设计。UVM基
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(22)申请日2023.1
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51单片机控制Nand Flash读写的两种
方法
本文叙述了51单片机控制Nand Flash读写的两种方法：总线方式和I/O模拟方
式，并通过逻辑分析仪验证这两种方法均是符合Nand Flash的读写时序的，最
后通过逻辑分析仪观察和汇编分析给出了这两种方法读效率的对比。
第一章 单片机
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2011 年 8 月 北京航空航天大学学报 August 2011
37 8 Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics Vol． 37 No. 8
第 卷第 期
基于加速磨损试验的止推轴承磨损寿命预测
周玉辉 康 锐 苏 荔 吴建
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【编写驱动之前要了解的知识】Flash的擦除操作是以block块为单位的，与此相对应的是其他很多存储设备，是以bit位为最小读取/写入的单位，Flash是一次性地擦除整个块：在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，常见的块的大小是128KB/256KB。。，全部擦除为11.?????? 硬件特性：
【Flash的硬件实现机制】
Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性，从名字中就可以看出，非易失性就是不
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