半导体第一章.pdf
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第一章 半导体材料.ppt
（2）半导体的磁阻效应 当半导体处于磁场中时，半导体的电阻会增加。这就是磁阻效应。电阻值随外加磁场变化而变化的现象。 1.2 半导体材料的制备技术 一、块状单晶的生长技术 广泛应用的方法是切克劳斯基方法，又称为提拉法。 MBE：由超高真空室、基片加热块、分子束盒和各种监控仪器组成。此外，除生长室外，系统还包括用于交换样品的进样室和用于分析样品的分析室。 溅射技术的最新成就之一是磁控溅射。 在磁控溅射中引入了正交电磁场，使离化率提高到5-6%，于是溅射速率大大提高，对许多材料，溅射速率达到了电子束蒸发的水平。 分子束外延 外延（Epitaxis）是指在
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第一章 半导体的型、p型掺杂.ppt
* * * * * * * * * * * * * * * * * * 半导体的n型、p型掺杂 教 师：黄辉 办公室：创新园大厦A1226 本章内容 * 1.半导体概述 2.本征半导体 3.杂质半导体 4.掺杂工艺简介 1.半导体概述 * 根据物体导电能力（电阻率）的不同，物质可分为导体(ρ10-1Ω·cm)、绝缘体(ρ109 Ω·cm)和半导体(10-1Ωρ109Ω·cm)三大类。 半导体应用极为广泛，因为它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。 1.半导体概述 * 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等，其都是4价元素（外层轨道上的电子通常称为价电子），其原子结构模型和
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第一章 半导体基础知识题库.pdf
1.二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）
2.晶体管可以把小电流放大成大电流。（）
3.在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（）
4.在P型半导体中，空穴是少数截流子，电子是多数载流子。（错）
5.品体管可以把小电压放大成大电压。（错）
6.在N型半导体中，空穴是多数截流子，电子是少数载流子。（错）
7.在N型半导体中空穴是少数载流子，电子是多数载流子。（）
8.二极管两端加上正向电压就一定会导通。（错）
9.半导体随温度的升高，电阻会增大。错（）
10.PN结正向偏置时电阻小，反正偏置时电阻大。（）
11.硅二极管的死区电压小于错二极管的死区电压。（错）
12.二极
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《电子技术》第一章半导体器件.ppt
6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: §1.5 场效应晶体管 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 1.5.1 结型场效应管: 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G
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第一章基本半导体分立器件ok.ppt
* 1.3晶体三极管 1.3.1 晶体管的结构及类型 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管三极管参数的影响 1.3.6 光电三极管 * 1.3.1晶体管的结构及类型 半导体三极管是电子电路重要器件,它通过一定的工艺,将两个PN结结合在一起,由于两个PN结的相互影响,使三极管具有电流放大作用.从二极管发展到三极管,这是一个质得飞跃. 1、分类 按材料分：①硅管；②锗管 按功率分：①小功率管；②中功率管；③大功率管 按结构分：①NPN；②PNP
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固体与半导体物理第一章.ppt
第一章 晶体结构 绪 论 物质一般有固、液、气三态（等离子体） 原子组成固体。大致密度1023/cm3，总是以一定方式排列－－固体结构。 固体物理研究对象： 晶体、非晶体与准晶体等固相物质 固体 晶 体：有固定熔点，金属、岩盐、石英、金刚石 非晶体：没有固定熔点，橡胶、塑料、玻璃、腊 晶 体：长程有序（分子排列在微米量级范围是有序的。） 非晶体：无规则的，或称其为短程有序的。 晶体、非晶体的特点 晶体： 有规则外形（天然）、各向异性、固定熔点 非晶体： 无规则外形、各向同性、无固定熔点 晶体 单
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半导体物理第一章(new).ppt
半 导 体 物 理 学 半导体物理学 教材: 《半导体物理学》(第七版)，刘恩科等编著，电子工业出版社 参考书： 《半导体物理与器件》（第三版），Donald A.Neamen著，电子工业出版社 田敬民，张声良《半导体物理学学习辅导与典型 题解》，电子工业出版社2005 半导体物理学 课程考核办法 : 本课采用闭卷笔试的考核办法。 总评成绩构成比例为：平时成绩30%； 期末考试70% 半导体物理学 半导体中的电子状态（chap1） 半导体中杂质和缺陷能级（chap2） 半导体中载流子的统计分布（chap3） 半导体的导电性（chap4） 非平衡载流子（chap5
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半导体薄膜技术与物理第一章.ppt
半导体薄膜技术与物理第一章 第一张，课件共二十三张，编辑于2022年5月 薄膜材料科学与技术作用 The Materials Science of Thin Films by Milton Ohring Preface Thin-film science and technology play a crucial role in the high-tech industries that will bear the main burden of future American competitiveness. While the major exploi
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第一章 能带和半导体基础知识.ppt
浅杂质能级－施主与受主 施主 受主 类氢模型 氢原子 类氢杂质 Table 1.3 Impurity ionization energy in silicon and germanium Impurity Ionization energy (eV) Si Ge Donors S 0.045 0.012 As 0.05 0.0127 Acceptors B 0.045 0.0104 Al 0.06 0.0102 深杂质能级 VI杂质在IV晶体中，两次电离，两个深能级 两性杂质：1、一种晶格形态； 2、同一种杂质占据不同的位置。 重掺杂情形
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半导体薄膜技术与物理第一章.ppt
半导体薄膜技术与物理第一章 第一页，共23页 薄膜材料科学与技术作用 The Materials Science of Thin Films by Milton Ohring Preface Thin-film science and technology play a crucial role in the high-tech industries that will bear the main burden of future American competitiveness. While the major exploitation of thin
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—第一章常用半导体器件.ppt
1.2 双极型晶体管 双极型晶体管通称晶体三极管。其内部有两个PN结。因其内部有两种载流子参与导电，故称为双极型管。与之对应的，还有场效应管（其中只有一种载流子参与导电）。 晶体三极管的最显著的特性是具有电流放大作用。即在满足一定的条件下，某个电极的电流是另一个电极电流的一个相对固定的倍数。利用这一点，可以实现对弱信号的放大。 晶体三极管也分为小功率管、中功率管和大功率管。同时，还分为低频三极管和高频三极管。 晶体三极管必须满足一定的条件才会具有放大作用。这种条件分为内部条件和外部条件。内部条件是其结构必须满足一定的工艺要求，而外部条件则是必须对其两个PN结进行正确的偏置。 1.3.1
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【2017年整理】1第一章半导体器件.ppt
第一章
半导体器件;第一章 半导体器件;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;1.1.1 本征半导体;本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;1.1.2 杂质半导体;一、N 型半导体;
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复习闪卡 半导体物理第一章.ppt
* 半导体中电子的平均速度 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动 有效质量 本征半导体的导电机构 空穴 Si、Ge、GaAs的能带结构 小结 * 半导体中电子的加速度 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动 有效质量 本征半导体的导电机构 空穴 Si、Ge、GaAs的能带结构 小结 * 半导体中电子的加速度 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动 有效质量 本征半导体的导电机构 空穴 Si、Ge、GaAs的能带结构 小结 * 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子
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2.第一章半导体元件及其特性.ppt
四、晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE U(th) 则导通 以 NPN为 例： UBE U(th) 则截止 * 判断饱和还是放大： 1. 电位判别法 NPN 管 UC UB UE 放大 UE UC ? UB 饱和 PNP 管 UC UB UE 放大 UE UC ? U B 饱和 2. 电流判别法 IB
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半导体照明技术：第一章 光 视觉 颜色.ppt
* 推荐书目 1. E. Fred Schubert, Light-Emitting Diodes, New York: Cambridge, 2003 2.《色度学》，荆其诚，焦书兰等，科学出版社，1979 第1章 光 视觉 颜色 第一章内容 1.1 光 1.2视觉 （不讲） 1.3颜色 1.1.1 光的本质 本质：波粒二重性(同时具有粒子性和波动性) 光速、光波长与频率关系： c=λν 光子具有的能量： E=hν=hc/λ 可见光波段：380nm~780nm 波长：nm(10-9m) 1.1.2.1 光的产生 光的产生：温度辐射和发光（激发发光） 温度辐射：物质在