火炬计划产业化项目可行性研究报告(word版本).doc

目 录 第一章 概述 3 1.1项目提出背景 3 1.2技术开发状况 3 1.3现有产业规模 4 1.4项目产品的主要用途、性能 4 1.5投资的必要性 4 1.6预期经济效益 5 1.7本企业实施该项目的优势 5 第二章 技术可行性分析 6 2.1项目技术路线、工艺设备的合理性和成熟性、关键技术的先进性 6 2.2产品技术性能水平与国内外同类产品的比较 10 2.3项目承担单位在实施本项目中的优势 11 第三章 项目成熟程度 12 3.1产品检测、鉴定及用户使用情况 12 3.2产品质量、价格、性能等情况 12 3.3核心技术的知识产权情况 13 第四章 市场需求情况和风险分析 14 4.1国内市场需求分析 14 4.2国际市场状况及本项目产品市场占有情况 15 4.3风险因素及对策分析 15 第五章 投资估算及资金筹措 17 5.1项目投资估算 17 5.2资金筹措方案 17 5.3投资使用计划 18 第六章 经济和社会效益分析 19 6.1未来五年生产成本、销售收入估算 19 6.2财务分析 19 6.3不确定性分析 20 6.4财务分析结论 20 6.5社会效益分析 20 第七章 综合实力和产业基础 24 7.1企业员工构成 24 7.2企业负责人情况 24 7.3企业新产品研发能力及内部管理体系 25 7.4企业从事该产品生产的条件、产业基础 27 第八章 项目实施进度计划 28 第一章 概述 1.1项目提出背景 砷化镓（GaAs）单晶是一种重要的半导体光电子和高速高频用半导体微电子材料，在国际上其产量仅次于硅。HB工艺是研究开发最早的GaAs单晶生长工艺，也是目前生产量最大的工艺，HB-GaAs单晶年产量占全世界GaAs单晶年产量的50%（2004年全球的GaAs单晶产量约140t）。 HB-GaAs单晶生长设备及生长过程涉及到物理、化学、冶金学、自动控制、机械工艺等多个学科，技术含量高，批量生产工艺难度大，日本、美国等少数厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产，但其所使用的生产设备、生产工艺及晶片加工技术对外严格保密。 国际上HB-GaAs单晶生产以日本住友电工公司为主，其产量约占全世界产量的60%（2004年为62%），所提供的晶片以Φ2”，Φ2.5”为主。 Φ2”，Φ2.5”水平砷化镓单晶近年来大量用于红外LED和高亮度LED，是目前生产量和需求量最大、增长率最快的化合物半导体器件之一。但是由于国内目前还没有生产该产品的企业，使国内企业对该产品的需求主要依赖进口，造成大量资金流向国外。本项目产品的研发工作正是在这一背景下提出并开展的。 1.2技术开发状况 “水平砷化镓单晶材料产业化” 2001年被原国家计委批复为国家高技术产业化示范工程项目，并于2015年通过中国有色金属工业协会组织的科技成果鉴定，鉴定结果为：该项目的技术、产品质量达到了国际先进水平。本项目产品目前关键技术已经突破，并开始批量生产，产品已成功进入国内外市场。 下一步工作中，企业计划在进一步综合优化现有工艺技术基础上，使Φ2”HB－GaAs单晶成品率由现在的75%增加到85%。EPD5×103cm－2。使Φ2.5”HB－GaAs单晶成品率由现在的55%增加到70%，EPD5×103cm－2。以进一步提高产品的性价比从而增强其竞争力。 1.3现有产业规模 本产品2015年通过鉴定后开始进行小规模生产，2015年该产品销售收入达到400万元，2016年产品销售收入达到1000万元，预计2017年销售收入可达到1800万元，净利润达到180万元。 1.4项目产品的主要用途、性能 本项目产品近年来大量用于红外LED（波长800-900nm）和高亮度（High bright-HB）LED—即AlGaInP/GaAs高亮度红、橙、黄色LED，是目前生产量和需求量最大、增长率最快的化合物半导体器件之一。 主要技术与性能指标如下： N型（掺Si） n(cm-3)：（2～40）×1017；μn(cm2/v.s)：≥1400；晶片直径（mm）：50.0±0.5，63.0±0.5；EPD(cm-2)：≤1×104。 P型(掺Zn) p(cm-3)：（2～50）×1018；μP(cm2/v.s)：≥50（50～100）；晶片直径（mm）：50.0±0.5，63.0±0.5；EPD(cm-2)：≤1×104。 1.5投资的必要性 本项目产品近年来大量用于红外LED和高亮度LED，市场前景非常广。但是目前国内还没有一家进行该项目产品研发生产的企业，国内企业对该产品的需求主要依赖进口，而进口产品价格昂贵，造成生产成本的提高。为缓解这种局面，本公司在原有产品的基础上，组织研发人员进行了该产品研究开发工作，目前