可控硅静电防护器件及其制造方法.pdf

具有高维持电压的可控硅瞬态电压抑制器件及其制作方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114792721 B (45)授权公告日 2022.09.27 (21)申请号 202210714438.0 H01L 29/861 (2006.01)

2023-05-14 约2.29万字 16页立即下载

可控硅及其应用.ppt 可控硅及其应用小结 * 一、概述： 可控硅也称晶体闸流管。它是一种大功率半导体器件。它的主要特点是功率放大倍数很高，控制作用很强，能用小电流、低电压控制大电流、高电压电路的阻断或导通。由于它体积小、重量轻、效率高、寿命长、使用方便，所以它在许多方面都得到了广泛的应用。例如，无触点开关电路及可控整流器中。常用的有单向可控硅和双向可控硅两大类。二、单向可控硅 1、结构与符号 A、外形结构 A G K K G A A G K B、内部结构和等效电路 A（阳极） K（阴极） G（控制极

2017-06-15 约3.08千字 12页立即下载

用于静电防护的MOS器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566499 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210185557.1 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址

2023-05-06 约1.06万字 11页立即下载

检查可控硅的坏方法.doc 检查双向晶闸管（可控硅）的好坏方法:（六祖故乡人编）一、双向晶闸管作电子开关使用，能控制交流负载（例如白炽灯）的通断，根据白炽灯的亮灭情况，可判断双向晶闸管的好坏。电路如图1所示。将220V交流电源的任意一端接T2，另一端经过220V、100W白炽灯接T1。触发电路由开关S和门极限流电阻R组成。S选用耐压220VAC的小型钮子开关或拉线开关。R的阻值取100～330Ω，R值取得过大，会减小导通角。下面个绍检查步骤：第一步，先将S断开，此时双向晶闸管关断，灯泡应熄灭。若灯泡正常发光，则说明双向晶闸管T1- T2极间短路，管子报废；如果灯泡轻微发光，表明T1-T2漏电流太大，管子的性能很

2018-03-19 约5.23千字 14页立即下载

一种可控硅静电放电保护结构.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114783997 B (45)授权公告日 2022.10.21 (21)申请号 202210720818.5 (56)对比文件 (22)申请日 2022.06.24

2023-05-15 约8.17千字 8页立即下载

可控硅的测试方法.doc 可控硅的测试方法双向可控硅的极性判断方法：T1（A1）为第一阳极，T2（A2）为第二阳极，G为控制极。测试结果为：T2与其他2个脚均不导通，通常T2极和可控硅背部的散热片是导通的，其余的两个引脚则为T1极与G极，用指针万用表的R×1或R×10档测量这两个引脚；在正反测量阻值较小的那次中，红表笔接的为可控硅G极，黑表笔接的为T1极。将黑表笔接T2极，红表笔接T1极，此时万用表指针应该不发生偏转，阻值为无穷大，再用短接线将T2极与G极瞬间短接，这样做的目的是给G极加上正向触发电压，T1(A1)、T2(A2)两极之间阻值由无穷大变为导通，随后断开T2极与G极之间的短接线，万用表指针仍然停留在原

2020-04-04 约小于1千字 1页立即下载

电力电子器件双可控硅介绍.doc 电力电子器件双向可控硅介绍元件简介一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大

2016-10-13 约1.05万字 10页立即下载

可控硅（晶闸管）项目智能制造方案.docx MacroWord 可控硅（晶闸管）项目智能制造方案声明：本文内容信息来源于公开渠道，对文中内容的准确性、完整性、及时性或可靠性不作任何保证。本文内容仅供参考与学习交流使用，不构成相关领域的建议和依据。目录TOC\o1-4\z\u 一、智能制造面临的机遇与挑战 3 二、智能制造目标 5 三、促进区域制造业数字化转型 8 四、数据分析与人工智能（AI）的应用推广 11 五、工业安全与信息安全的应用推广 14 六、深入推进标准化工作 17 七、云计算与边缘计算的应用推广 20 八、强化人才支撑 24 九、深化科技、金融和产业融合 27 十

2024-07-15 约1.73万字 41页立即下载

光控可控硅及其应用_宋吉江.pdf - - —

2017-06-04 约1.26万字 2页立即下载

静电防护器件.docx ? 静电防护器件 TVS管介绍瞬态二极管（TVS | Transient Voltage Suppressor）是一种二极管形式（齐纳二极管的进化）的高效保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以极快的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收电源和信号线上的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值。 TVS管种类双向TVS和单项TVS 单向TVS就特性而言和齐纳管较类似，只能吸收正向的浪涌电压脉冲，一般只用于直流电路（且没有反接和负向脉冲）。由上图可见，TVS管反接在电路中，当输入电压达到TVS管的箝位电压时，TVS 管处于反向导通状态，通过TVS管的电流迅速

2023-08-31 约2.32千字 7页立即下载

双向可控硅测试方法.doc 双向可控硅测试方法　　　　双向可控硅是双向交流开关，可以在最高600V电压下控制高达25A rms电流的负载。它们用于电机速度、加热器和白炽灯的控制。逻辑型双向可控硅对微控制器驱动器件尤有吸引力。微控制器输出端口可以直接驱动一只双向可控硅，因为可控硅的触发电流只有3~10mA。与所有电子器件一样，双向可控硅也存在一些内部问题，在将其用于某个设计以前可以检测这些问题。　　　　图1，双向可控硅测试仪用一只开关转换测试信号的极性。　　　　图1是一个简单而成本低廉的测试设备，它可测试Littelfuse公司的L2004F31、L2004F61、L2004L1和L4004V6TP双向可

2018-09-11 约2.57千字 7页立即下载

一种可控硅控制方法及装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112929011 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110133012.1 (22)申请日 2021.01.29 (71)申请人青岛经济技术开发区海尔热水器有

2023-06-08 约1.09万字 9页立即下载

一种用于静电放电中的场效应可控硅结构.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113345886 B (45)授权公告日 2021.11.30 (21)申请号 202110892105.2 (56)对比文件

2023-06-20 约7.58千字 8页立即下载

ReRAM器件及其制造方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116096218 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202111292129.0 (22)申请日 2021.11.03 (71)申请人上海华力微电子有限公司地址 2

2023-05-07 约1.41万字 16页立即下载

OLED器件及其制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410176 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202010183590.1 (22)申请日 2020.03.16 (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

2023-06-21 约1.73万字 15页立即下载