IGBT器件.pdf - 文档宝

IGBT器件培训概要.ppt IGBT器件培训目录一、IGBT概述; 二、IGBT器件分类; 三、IGBT主要电气参数和特性；四、IGBT器件选用；五、IGBT失效分析；六、业界发展趋势；一、IGBT概述 2、IGBT基本结构一、IGBT概述 3、IGBT主要特点双极型器件，少子参与导电。空穴电流占总电流的20～25％(NPT)。由于少数载流子注入的基区调制效应，正向饱和压降（类似于MOSFET的导通电阻）不再明显受到耐压的影响。在大电流下可获得很低的通态压降和很高的功率处理能力；同等耐压和功率处理能力下，IGBT所需的芯片面积明显小于MOSFET，因而具有成本

2017-03-04 约6.13千字 62页立即下载

2017-04-15 约小于1千字 62页立即下载

压接式IGBT子模组结构和压接式IGBT器件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992795 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 20191

2023-06-09 约8.86千字 8页立即下载

《IGBT器件可靠性》课件.ppt ********************《IGBT器件可靠性》本课件旨在探讨IGBT器件的可靠性问题，从器件工作原理、失效模式、可靠性评估、退化机理、提高措施和测试方法等方面进行阐述，为IGBT器件的可靠性设计和应用提供指导。IGBT器件简介IGBT是绝缘栅双极型晶体管的简称，是一种功率半导体器件，集结了MOSFET的高输入阻抗和BJT的高电流容量。IGBT器件兼具MOSFET和BJT的优点，成为电力电子领域应用最广泛的器件之一，应用于电机驱动、电源转换、新能源汽车等领域。IGBT器件的应用领域电机驱动IGBT器件可用于电机控制系统，例如电动汽车、工业自动化设备和家用电器。电源转换IGBT器件

2025-03-30 约3.66千字 30页立即下载

igbt器件技术的未来展望.ppt 整晶圆IGBT的设计与制造概念 * 湖南大学发明专利2011年5月湖南大学和合作单位正在开发世界上第一只4英寸整晶圆IGBT 整晶圆IGBT主要技术优势 * 提纲功率半导体的应用与市场 IGBT器件技术的发展历程 IGBT电导调制效应的不断改善高压特大容量IGBT的发展动态 IGBT器件技术的未来展望结束语 * IGBT器件技术的未来展望 IGBT性能的理论极限纳米IGBT IGBT载流子分布控制超级结IGBT 整晶圆IGBT 宽禁带半导体IGBT * 未来展望：IGBT性能的理论极限 * （A. Nakagawa 2006）未来展望：纳米IGBT结构 * （M.

2017-06-17 约3.09千字 34页立即下载

600V 沟槽 FS IGBT的器件设计.docx PAGEII PAGEII 600V沟槽FSIGBT的器件设计摘要场阻型IGBT（Field-StopIGBT,FS-IGBT）是目前为止发展起来的非常先进的结构。它具有许多半导体器件所不具备的很多的优势，因此被广泛地应用于工业领域和消费领域。我国虽然对IGBT的研究取得了不小的成就。但是，相较于国外，我国的制造工艺水平仍然低于外国的先进水平，结合现有的工艺，设计本毕业设计实现一款耐压能力为600V，导通压降小于2V，阈值电压在4V左右的的TrenchFSIGBT。本论文的研究的主要内容如下： 1：对IGBT的发展历程进行了概述，对FSIGB

2024-08-14 约2.35万字 37页立即下载

IGBT器件热可靠性的研究的开题报告.docx IGBT器件热可靠性的研究的开题报告一、选题背景及意义随着现代电力电子技术的不断发展和应用，大功率IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）器件在各类电力电子领域的应用日益广泛，例如工业控制、电力传输和分配、轨道交通以及可再生能源等领域。但是，IGBT器件的热可靠性对于保证电力电子设备的长期稳定性和可靠性至关重要。因此，对于IGBT器件的热可靠性研究具有重要的意义。二、主要研究内容本文拟从以下几个方面展开对IGBT器件的热可靠性研究： 1.IGBT器件的热特性研究：分析IGBT器件在工作过程中的温度变化规律和热特性，包括在不同电流、电压下的热特性变化及其影

2024-07-15 约小于1千字 2页立即下载

IGBT器件的研究与应用的开题报告.docx IGBT器件的研究与应用的开题报告一、研究背景随着现代电力电子技术的不断发展，IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）器件逐渐成为电力电子领域中的重要革新之一。IGBT器件在高功率控制中具有较高的效率和可靠性，广泛应用于交流和直流电力电子领域。与其他功率器件相比，IGBT器件具有更快的开关速度、更高的工作频率、更低的导通压降和更高的抗短路能力，因此适用于各种高速、精准控制的电力电子应用。二、研究目的本研究旨在探究IGBT器件的基本原理、结构与特性，分析其在电力电子控制中的优势和应用情况，并对其未来研究方向进行探讨。三、研究内容 1.IGBT器件的基本

2024-05-26 约小于1千字 2页立即下载

IGBT器件的研究与应用的开题报告.docx PAGE 1- IGBT器件的研究与应用的开题报告一、1.IGBT器件概述 (1)IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为一种高压、大电流的电力电子器件，因其具有高可靠性、低损耗、易于驱动等优点，在电力电子领域得到了广泛的应用。IGBT器件结合了MOSFET和GTR的优点，具有栅极驱动简单、开关速度快、通态压降低等特性。其内部结构包括一个P型硅基体、一个N型漂移区、一个N+发射极和一个P+栅极，通过控制栅极电压来控制器件的导通和关断。 (2)IGBT器件的研究始于20世纪70年代，经过多年的发展，其性能已经得到了极大的提升。目前，IGBT器件的电压和电流容量已经可以达到数千伏和数千安培，能够满足各

2025-03-20 约2.66千字 5页立即下载

IGBT器件参数的自适应热网络模型分析.pdf 研究与设计ResearchandDesign IGBT器件参数的自适应热网络模型分析谢林波（桂林电子科技大学，广西541004）摘要：阐述功率器件参数自适应热网络模型的理论基础。分析功率器件的热特性和参数，介绍热网络模型的基本原理，通过建立功率器件的热传导路径来描述其热行为。提出一种自适应热网络模型的建立方法，根据实际的功率器件参数来调整模型的参数。该自适应模型可以提高功率器件的热管理效果。关键词：功率器件，绝缘栅双极型晶闸管（IGBT），热网络模型。中图分类号：TN40，TK124文章编号：1674-2583(2024)08-0016-0

2025-03-28 约6.72千字 3页立即下载

IGBT器件栅极漏电问题研究.pdf 可靠性 Reliability 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 DOI :10 ． 3969 /j ． issn． 1003 － 353x． 20 12 ． 09 ． 0 17 IGBT 器件栅极漏电问题研究 1 1 1 2 ，，，

2017-08-06 约2.73万字 5页立即下载

八大维度解析IGBT分立器件哪家强？.doc 八大维度解析IGBT分立器件哪家强？功率半导体趋势：围绕性能升级，向更高频高压领域进发功率半导体分类：功率分立器件+功率模块+功率IC 功率半导体是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件，其主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等。按器件集成度划分，功率半导体可以分为功率分立器件、功率模块和功率IC三大类。早期二极管VS晶闸管VS三极管：开关速度慢，常用于低频领域早期开发的功率分立器件二极管、三极管、晶闸管，在结构上都由简单的PN结组成，开关速度慢，常用于低频领域。二极管：仅单向导通，是最常见的功率分立器件；

2024-02-26 约5.99千字 5页立即下载

FS-、IGBT器件的研究与设计开题报告.docx FS-、IGBT器件的研究与设计开题报告一、选题背景和意义随着电力电子技术的发展，越来越多的功率电子器件被广泛应用于各种领域。其中，FS-和IGBT器件作为重要的功率电子器件，具有体积小、重量轻、效率高等优点，被广泛应用于高频电子设备、交流变换器、照明灯具等领域。为了更好地满足不同领域的应用需求，研究并设计出性能更优越、更适合应用的FS-和IGBT器件具有重要的意义。本课题旨在深入研究和探索FS-和IGBT器件的特性及设计方法，为实际应用提供更加可靠、高效的解决方案。二、研究内容本课题主要研究内容如下： 1.FS-和IGBT器件的基础理论和特性研究：对FS-和IGBT器件的基础理论和特

2024-05-12 约小于1千字 2页立即下载

新型GaN基准垂直IGBT器件研究.docx 新型GaN基准垂直IGBT器件研究一、引言随着电力电子技术的不断发展，新型半导体器件的研究与开发显得尤为重要。在众多半导体器件中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）以其优异的性能和广泛的应用领域而备受关注。近年来，GaN（氮化镓）作为一种新型的半导体材料，因其高电子迁移率、高饱和电子速度和良好的热稳定性等优点，被广泛应用于高频、高功率的电子设备中。本文将重点研究新型GaN基准垂直IGBT器件的研发与应用。二、GaN材料及其在IGBT器件中的应用 GaN材料因其优异的电学性能和物理特性，使得其在IGBT器件中具有广阔的应用前景。与传统IGBT器件相比，基于GaN材料的IGBT器件具有更高的工作

2025-04-13 约4.28千字 8页立即下载

复合栅IGBT器件结构及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464675 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202111663817.3 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人上海功成半导体科技有限公司地址

2023-05-08 约1.48万字 17页立即下载