ISE TCAD使用简介.pdf

器件模拟集成化工具 ISE TCAD 使用简介 池雅庆 yqchi@nudt.edu.cn 1．ISE TCAD部署与运行方法1 2 ．器件描述：mdraw6 2 ．1 启动6 2 ．2 构造二维剖面图8 2 ．3 掺杂 15 2 ．4 产生网格与调整设计20 3 ．器件模拟：Dessis 24 3 ．1 模拟输入文件24 3 ．2 模拟过程27 4 ．可视化28 4 ．1 曲线可视化：Inspect 29 4 ．2 分布可视化：Picasso 31 1．ISE TCAD 部署与运行方法 部署： 1．安装 EXCEED Xserver for win32 ； 2 ．拷贝文件夹“ISE ”到C 盘根目录下； 3 ．拷贝文件夹“ISE_DATA ”到E 盘根目录下； 4 ．添加系统环境变量如下（或确保系统环境变量中有如下内容，参照环境变量.txt）： Path 项中添加：%TEC80HOME%\BIN;C:\ISE\bin 新建项： ISEDB E:\ISE_DATA ISERELEASE 7.0 ISEROOT C:\ISE TEC80HOME C:\ISE\TEC80 FP_NO_HOST_CHECK NO DISPLAY 此电脑的计算机名:0.0 （点“我的电脑”的“属性”中“计算机名”，即可看到计算机名） 5 ．导入文件夹“破解”中所有注册表信息（双击即可导入）。 运行（后面以一个例子来说明使用方法，该例子计算一个VDMOS 器件的阈值电压）： 1．启动exceed ； 2 ．启动C:\ISE\BIN\GENESISEe，也可为其添加一个快捷方式。 3 ．启动后，出现窗口如图 1 或图 2 ： 图 1 GENESISe 窗口 1 第 1 页 图2 GENESISe 窗口 2 4 ．打开 ISE Projects 窗口（双击“Projects ”图标，左上角），在左边树状图中右键 点击 Example_Library_7.0.lnk——Applications——DMOS －Vt ，左键点击“duplicate” （如图3 所示），弹出窗口如图 4 所示，点击“Yes All ”，“Vt