第三章 门电路 - 第三部分.pdf

2.5.4 TTL电路的改进系列 一．74H系列 1、输出级采用达林顿 结构，以减小高电平输 出电阻，从而提高对负 载电容的冲放电速度。 2、降低所有电阻的阻 值。 平均传输延迟时间比74系列缩短了一半，一般在10ns以内。 付出的代价是增加了电路的静态功耗，电源平均电流约为74系列的 两倍。 88 电子工程学院 2.5.4 TTL电路的改进系列 二、74S系列（肖特基系列） 1、可能工作在饱和状态 下的晶体管T 、T 、T 1 2 3 、T 都用带有肖特基势 5 垒二极管（SBD ）的三 极管代替，以限制其饱 和深度，提高工作速度 。 SBD的正向压降只有0.3V~0.4V。 当晶体管饱和时，V = V + V = -(0.3~0.4) + 0.7= (0.3~0.4) V ，使 CE CB BE 晶体管工作在浅饱和状态，减少了存储时间，加快了工作速度。 89 电子工程学院 2.5.4 TTL电路的改进系列 二、74S系列（肖特基系列） 2、增加有源泄放电路 •提高工作速度，加速T5 的饱和和截止； • 改善电压传输特性。 74S系列的电 v /V 压传输特性 o 由T 、R 和R 构成 6 B C 的有源泄放电路来 代替T 射极电阻R 2 3 缺点：加大了功耗，输出低电平也升 vI/V 高了（最大可达0.5V ）。 90 电子工程学院 TTL反相器的电压传输特性 • 截止区(A-B) ：v 0.7V ，T 、T 截止，输出高电平V I 2 5 OH • 饱和区(D-E) ：v ≥1.4V ，T 截止，T 深度饱和，输出低电平V I 4 5 OL • 线性区(B-C) ：0.7V≤v 1.3V ，T 导通，T 仍截止。这时T 工作在 I 2 5 2 放大区，v 随v 升高而下降，经T 、D 使v 线性下降 C2 I 4 2 O • 转折区(D-E) ：1.3V≤v 1.4V ，T 由截止变为导通，v 迅速降低 I 5 O 91 电子工程学院 2.5.4 TTL电路的改进系列 三、74LS系列（低功耗肖特基系列） 延迟-功耗积（pd积）： 传输延迟时间和功耗的乘 积。pd积越小，门电路的 综合性能越好。 1