栅极驱动电路设计.doc
文本预览下载声明
显示全部
文档详情
相似文档
-
GaN功率晶体管栅极驱动电路设计.docx
GaN功率晶体管栅极驱动电路设计
GaN功率晶体管栅极驱动电路设计
一、GaN功率晶体管概述
随着电子技术的快速发展，对功率电子器件的性能要求越来越高。GaN（氮化镓）功率晶体管作为一种新型的半导体器件，因其在高频、高效率、高功率密度等方面的优势，受到了广泛的关注和应用。GaN功率晶体管以其出色的开关速度和耐高温特性，在电源转换、电动汽车、可再生能源等领域展现出巨大的潜力。
1.1GaN功率晶体管的特性
GaN功率晶体管的核心特性包括高频率、高效率、高功率密度和耐高温。高频率意味着GaN器件可以在更高的频率下工作，从而实现更小的磁性元件尺寸，提高整体系统的功率密度。高效率则意味着在开关过程中的
-
600V单片集成IPM高压侧栅极驱动电路设计的开题报告.docx
600V单片集成IPM高压侧栅极驱动电路设计的开题报告
一、选题背景
在工业自动化、电力电子等领域，高压集成电路已经成为一种重要的电源控制器。在这种器件中，直流至交流的转换通过一种称为IPM的器件实现，即单片集成功率模块。其特点是能够将外部设备所需的大电流和高电压转换成电子信号来实现高效率的能源转化。
在设计IPM的驱动电路时，最重要的部分是高压侧栅极驱动电路设计，它能够控制IPM的开关速度，保证满足外部设备所需的电源和时间变化要求，以及提高系统的可靠性和稳定性。
二、研究目标与内容
1.研究带有保护电路和隔离电路的高压侧栅极驱动电路的实现方法。
2.在高压侧栅极电路中，设计用于控制输出电流的
-
IGBT的栅极驱动电路.ppt
3.2IGBT的栅极驱动电路 3.2.1 对IGBT栅极驱动电路的要求 IGBT的栅极驱动条件密切地关系到它的静态和动态特性。 栅极电路的正偏压VGE、负偏压-VGE和栅极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dV/dt电流等参数有不同程度的影响。 栅极驱动条件与器件特性的关系 栅极正电压VGE的变化对IGBT的开通特性，负载短路能力和dVCE/dt电流有较大影响。 栅极负偏压则对关断特性的影响比较大。 1. ?IGBT对栅极驱动电路的特殊要求 由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能不好常常导致器件损坏，
-
栅极驱动电路.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112820227 A
(43)申请公布日
2021.05.18
(21)申请号 20191
-
LCD驱动电路设计.pdf
LCD 驱动电路的设计
现在大部分的便携式手持终端产品，如移动电话、导航系统等，都拥有一个小型
LCD 显示屏，这使 LCD 驱动电路的设计成为手持终端设计的重要组成部分。
LCD 驱动电路的设计是手持终端产品的重要组成部分。本文设计并实现了基于
S3C2440A 的手持终端 LCD 驱动电路。以应用于特殊行业的手持终端为例，叙述 LCD 驱动电
路的设计实现方法。
硬件电路设计
硬件电路结构
本设计中手持终端 CPU 采用三星公司 ARM920T
-
mosfet管驱动电路设计.pptx
MOS管驱动电路的设计;有关MOSFET的基本知识;有关MOSFET的基本知识;有关MOSFET的基本知识;MOSFET驱动芯片的内部结构;MOS驱动电路设计需要注意的地方;MOS驱动电路设计需要注意的地方;MOS管驱动电路参考;MOS管驱动电路的布线设计;MOS管驱动电路布线参考;常见的MOS管驱动波形;常见的MOS管驱动波形;常见的MOS管驱动波形;常见的MOS管驱动波形;常见的MOS管驱动波形;常见的MOS管驱动波形;再给大家推荐一些驱动MOS的芯片;再给大家推荐一些驱动MOS的芯片;拓展知识;说点题外话;谢谢大家
-
功率驱动电路设计.ppt
功率驱动电路设计;一、功率场效应晶体管（MOSFET）;功率MOSFET是一种单极性器件，导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电。（如N型MOS管，多子是电子）
功率MOSFET是一种集成器件，也就是说一个功率MOS管通常有许多元细胞并联而成。（一个40A的管子由上万个单元并联而成）。
栅极与基片之间用SiO2隔离，因此它同其它两个极之间是绝缘的，故MOS管输入阻抗非常高。
MOS管的极间电容比较大，尤其它的输入电容可达几百PF。
;2.MOS管主要技术参数 ;阈值电压VGS（th）（开启电压）
当外加栅极电压VGS（th）时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。
-
IGBT的驱动电路设计.docx
PAGE
1-
IGBT的驱动电路设计
一、IGBT驱动电路概述
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动电路是电力电子系统中至关重要的组成部分，其主要功能是控制IGBT的开关状态，实现电能的有效转换和传输。IGBT驱动电路的设计不仅要保证IGBT的可靠性和稳定性，还要满足高效率、低损耗、快速响应等要求。随着电力电子技术的不断发展，IGBT驱动电路在新能源、工业自动化、交通运输等领域得到了广泛应用。在IGBT驱动电路中，常用的驱动方式包括脉冲宽度调制（PWM）、电压驱动和电流驱动等，每种驱动方式都有其独特的优势和适用场景。
IGBT驱动电路的组成相对复杂，通常包括驱动芯片、功率元件、保护电路、驱动电
-
IGBT驱动电路设计.docx
PAGE
1-
IGBT驱动电路设计
一、IGBT驱动电路概述
(1)IGBT（绝缘栅双极型晶体管）驱动电路是电力电子系统中至关重要的组成部分，其主要功能是为IGBT提供精确、快速且可靠的驱动信号。这种电路的设计对于确保IGBT在开关过程中能够高效、安全地工作至关重要。在电力电子设备中，IGBT因其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性而被广泛应用。因此，IGBT驱动电路的性能直接影响到整个电力电子系统的性能和可靠性。
(2)IGBT驱动电路的设计需要考虑多个因素，包括驱动信号的幅值、上升和下降时间、电源电压、电流和温度限制等。一个理想的IGBT驱动电路应能够提供足够的驱动电流，确保IGBT
-
IGBT驱动电路设计.pptx
一种 IGBT 驱动电路的设计;向IGBT 提供适当的正向栅压。并且在 IGBT 导通后。栅极驱动电路提供给 IGBT 的驱动电压和电流要有足够
的幅度，使IGBT 的功率输出级总处于饱和状态。瞬时过载时，栅极驱动电路提供的驱动功率要足以保证 IGBT 不退出
饱和区。IGBT 导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VGE 越高，VDS 傩就越低，器件的导通 损耗就越小，这有利于充分发挥管子的工作能力。但是， VGE 并非越高越好，一般不允许超过 20 V，原因是一旦发生 过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高，IGBT 损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V 为宜。
-
栅极驱动电路、栅极驱动电路的驱动方法和显示面板.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112927643 B
(45)授权公告日 2022.04.12
(21)申请号 202110127450.7 (56)对比文件
-
栅极驱动电路、栅极驱动电路的驱动方法和显示面板.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114550651 B
(45)授权公告日 2022.08.05
(21)申请号 202210447430.2 G09G 3/3266 (2016.01)
-
SiC_MOSFET自调节有源栅极驱动电路研究与设计.pdf
哈尔滨工业大学硕士学位论文
摘要
宽禁带器件的应用是电力电子行业的未来趋势，现代电力行业需要高效功
率转换器，用于分布式发电、电动汽车、储能系统和电动飞机等应用中，降低
系统的体积和成本。宽禁带功率器件，如SiCMOSFET，由于其本征器件寄生
效应较小，因此开关瞬态时间更短，更适合高频应用场景。由于杂散电感和极
高的开关速度，SiCMOSFET在高频工作时会产生过流和过压，导致严重的电
磁干扰(EMI)问题。使用无源方法可以解决这个问题，但是会影响电路的效率，
为了提高SiCMOSFET的性能，有源栅极驱动电路的研究受到了广泛关注。
首先，为了准确预测SiCMOSFET的开关特性，提出了一种
-
栅极驱动电路和显示面板.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114882820 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210297387.6
(22)申请日 2022.03.24
(71)申请人 TCL华星光电技术有限公司
地址
-
MOSFET的驱动保护电路设计.docx
PAGE
1-
MOSFET的驱动保护电路设计
一、1.MOSFET驱动保护电路概述
(1)MOSFET驱动保护电路在电力电子系统中扮演着至关重要的角色，其主要功能是为MOSFET提供稳定且快速的开关信号，同时确保MOSFET在运行过程中不受过电压、过电流等故障的损害。这种电路的设计不仅关系到MOSFET的寿命，还直接影响到整个系统的可靠性和效率。随着电力电子技术的不断发展，MOSFET驱动保护电路的设计要求越来越高，需要具备快速响应、高精度控制、低功耗等特点。
(2)在MOSFET驱动保护电路的设计中，通常包括驱动电路和保护电路两个主要部分。驱动电路负责为MOSFET提供所需的开关信号，包括