Flyback Flyback 架构的 架构的EMI EMI 分析.pdf

Flyback 构的EMI 分析 Flyback 构的EMI 分析 Conduction 部分 SANTAK RD 刘鹏/王可志 SANTAK RD 刘鹏/王可志 1 PDF 文件使用 FinePrint pdfFactory 试用版本创建 一、目的 Flyback架构的EMI 效果通常是比较差的 （特别是在不 连续工作模式下）, 以往常经验来看，充电板以及功率 板上的充电部分是整机EMI效果的重要决定因素之一。 因此在此专题里面将以Flyback架构为对象，分析其 Noise源，传播途径，改善方法。拟在不影响电气性能 的前提下，降低成本 提高UPS 的EMC性能。 2 PDF 文件使用 FinePrint pdfFactory 试用版本创建 二、Noise 的产生机理及传播途径： 2.1 Flyback架构的高频等效模型 Flyback架构高频等效模型 Cds：MOSFET 的寄生等效电容， Cj：二极管的节电容Cj， Cm：Mosfet D极对散热片杂散电容， Cd：输出二极管负极对散热片的杂散电容 Les：变压器副边对其他绕组的漏感， Lep ：变压器原边对其他绕组的漏感 Ctx ：变压器原边与副边之间的杂散电容，Ce ：散热片对地的电容 3 PDF 文件使用 FinePrint pdfFactory 试用版本创建 2.2 Flyback 架构中的nosie 源 Noise 源：大的di/dt和dv/dt 产生的地方，对 Flyback架构来说，会产生这些变化的主要有： 变压器TX1 ； MOSFET Q1 ； 输出二极管D1； 芯片的RC振荡； 驱动信号线； （注：以下皆以C3KS （220V ）充电板为研究对象） 4 PDF 文件使用 FinePrint pdfFactory 试用版本创建 2.3 Mosfet Q1 动作时产生的Nosie 此处发生振荡1 此处发生振荡2 Q1 上Vds 的波形 MOSFET 动作时产生的Noise ：如上图所示，主要来自三个方面： ①Mosfet开通 关断时，具有很宽的频谱含量，开关频率的谐波本身