用电学参数表征晶体硅太阳电池特性.pdf

No．7 第16卷第7期 光学精密工程 V01．16 andPrecision 2008年7月 Optics Engineering Jul．2008 文章编号 1004—924X(2008)07—1163一08 用电学参数表征晶体硅太阳电池特性 周春兰，王文静，李海玲，赵 雷，刁宏伟 (中国科学院电工研究所，北京100080) 摘要：为了分析3种不同类型的商业太阳电池片，即P型铸造多晶硅太阳电池、定边喂膜生长硅(EFG)太阳电池和单晶 硅太阳电池中存在的影响电池效率的可能性缺陷，对太阳电池的电性能参数如光谱响应曲线、短路电流的二维分布、串 联电阻、并联电阻、二极管理想因子，反向饱和电流等进行了表征和分析。对比分析了对太阳电池增加偏置白光前后的 池中形成漏电缺陷的面分布和太阳电池的电性能参数并借助于太阳电池的二极管等效模型拟合了}V曲线。结合这3 种分析测试方法，得出在铸造多晶硅、EGF太阳电池中影响电池参数的主要缺陷是晶界、位错以及材料中的杂质，而影 响单晶硅太阳电池的却是存在于体内的金属杂质等。由于原材料中存在不同的少子复合中心，使最终多晶硅，EFG和 单晶硅太阳电池的转换效率分别为10．5％，11．7％和15．7％。 关键词：晶体硅；太阳电池；转换效率；电学参数；晶体缺陷 中图分类号：TM914．41文献标识码：A Characterizati伽ofsili咖酬arcellseJectrical crystaJljne by par唧eters ZHOUChun—lan，WANG A0Lei，D1AO Wen-jing，LIHai—ling，ZH Hong—wei 100080，C^i行口) (J竹s￡i￡“￡已。厂E厶?c￡，．if口ZE咒gi咒已Pri竹g，C^i咒PsPAc口dP优了。厂SfiP咒fPs，Bg巧i咒g order the on sili— Abstract：Into defects ofthree ofindustrial analyzepossible effectingefficiencytypes consolar of FilⅡrfed sin— cells：P—typecast—multicrystallinesilicon，Edge—definedGrowth(EFG)and siliconsolarcells，severalcell asthecurveof gle importantparameters，such spectralresponse(Ex— ternal ofshort—circuit factorsofdiodes，satura— QuantumEfficiency，EQE)，mappingcurrent，ideality tioncurrentsandthe resistancesand characterizedand After Jo parasitic Rs RsH，were analyzed．analy— bias in—