关于成立刻蚀研发公司商业计划书.docx
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泓域咨询/关于成立刻蚀研发公司商业计划书
关于成立刻蚀研发公司
商业计划书
xx(集团)有限公司
报告说明
这是由于光刻设备受到光源波长(DUV的193nm或EUV的13.5nm)的限制,分辨率有一定极限;当晶体管微缩到一定尺寸之后,单纯依靠光刻机的精确度推进工艺进步已经非常困难。刻蚀步骤的设备,工艺,核心零部件的行业壁垒很高。这主要是因为:(1)刻蚀作为图形转移的关键步骤,其所需要雕刻出的结构形态各异;(2)刻蚀步骤需要在不同的材质表面进行,其所涉及的工艺方法相差较大;(3)刻蚀作为主要步骤,占用了大量工艺时间和厂房空间,其生产效率和良率,对产线的效率影响很大;(4)刻蚀步骤需要射
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