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第一章绪论和常用半导体器件.ppt

发布:2017-04-24约1.43千字共84页下载文档
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模拟电子技术基础;第一讲 绪论;一、电子技术的发展 很大程度上反映在元器件的发展上 :;1. 信号:是反映消息的物理量 ;二、模拟信号与模拟电路;4. 模拟电路 模拟电路:对模拟量进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大。 放大:输入为小信号,有源元件控制电源使负载获 得大信号,并保持线性关系。 有源元件:能够控制能量的元件。;;;;二、模拟信号与模拟电路;三、“模拟电子技术基础”课程的特点 ;三、“模拟电子技术基础”课程的特点;四、如何学习这门课程;五、课程的目的;第二讲 半导体基础知识;一、本征半导体;1、本征半导体的结构;;载流子;二、杂质半导体 1. N型半导体;2. P型半导体;杂质半导体的示意表示法:;小结;三、PN结的形成及其单向导电性;PN结的形成;;1.空间电荷区中没有载流子。; PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是: P 区加??、N 区加负电压。;;二、PN 结反向偏置;四、PN结的电流方程 ;五、PN结的电容效应;第三讲 半导体二极管; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性;从二极管的伏安特性可以反映出: 1. 单向导电性;三、二极管的等效电路 1. 将伏安特性折线化;2. 微变等效电路;1. 最大整流电流 IOM;3. 反向电流 IR;二极管:死区电压=0 .5V,正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管:死区电压=0 ,正向压降=0 ;二极管限幅电路 利用二极管正向导通后其两端电压很小且基本不变的特性, 可以构成各种限幅电路,使输出电压幅度限制在某一电压值以内。;五、稳压二极管;负载电阻 。;令输入电压降到下限时,流过稳压管的电流为Izmin 。;讨论 判断电路中二极管的工作状态,求解输出电压。;第四讲 晶体三极管;;;;;;IB=IBN+ IEP -ICBO;ICE与IBE之比称为电流放大倍数;B;IC;;为什么UCE增大曲线右移?;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );;放大区:发射结正偏,集电结反偏。 即: IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB;例: ?=50, VCC =12V, RB =70k?, RC =6k? 当VBB = -2V,2V,5V时, 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区?;例: ?=50, USC =12V, RB =70k?, RC =6k? 当USB = -2V,2V,5V时, 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区?;USB =5V时:;四、温度对晶体管特性的影响;五、主要参数;例:UCE=6V时:IB = 40 ?A, IC =1.5 mA; IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。;2.集-基极反向截止电流ICBO;;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;第五讲 场效应管;一、场效应管(以N沟道为例);栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;漏-源电压对漏极电流的影响;夹断电压;g-s电压控制d-s的等效电阻;2. 绝缘栅型场效应管;增强型MOS管uDS对iD的影响;耗尽型MOS管;MOS管的特性;3. 场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
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