第二章电力电子器件详解.ppt

* RCD又称为限幅嵌位缓冲电路，被广泛用于IGBT等电压控制型开关器件的DC/DC直流电压变换和逆变电路中。要注意的是，在没有线路电感时，即L=0时，RCD缓冲电路在开关过程中不起作用。 * 从断面图上可以看到栅极与附近两个N区被绝缘体SiO2绝缘隔开，所以G被称为绝缘栅极。图中一个P型区代表一个单元，图中画出两个单元的典型平面断面图。一个真实器件往往由数万个以上的单元组成，并且在结构上是立体交错互连的。 靠近G极处被G极正电位所吸引的电子数超过该处的空穴数以后，栅极下面原空穴多的P型半导体表面就变成电子数目多的N型半导体表层。G极下由栅极正电位所形成这个N型半导体表层感生了大量的电子载流子。它是一个电子浓度很高的沟道（称为N沟道），这个沟道将G极两边的N区连在一起。电子从N+源区经此水平沟道流入N-外延区后，即在漏-源电压驱使下向漏极竖直漂移，形成漏极电流ID。 * 从断面图上可以看到栅极与附近两个N区被绝缘体SiO2绝缘隔开，所以G被称为绝缘栅极。图中一个P型区代表一个单元，图中画出两个单元的典型平面断面图。一个真实器件往往由数万个以上的单元组成，并且在结构上是立体交错互连的。 靠近G极处被G极正电位所吸引的电子数超过该处的空穴数以后，栅极下面原空穴多的P型半导体表面就变成电子数目多的N型半导体表层。G极下由栅极正电位所形成这个N型半导体表层感生了大量的电子载流子。它是一个电子浓度很高的沟道（称为N沟道），这个沟道将G极两边的N区连在一起。电子从N+源区经此水平沟道流入N-外延区后，即在漏-源电压驱使下向漏极竖直漂移，形成漏极电流ID。 * 从断面图上可以看到栅极与附近两个N区被绝缘体SiO2绝缘隔开，所以G被称为绝缘栅极。图中一个P型区代表一个单元，图中画出两个单元的典型平面断面图。一个真实器件往往由数万个以上的单元组成，并且在结构上是立体交错互连的。 靠近G极处被G极正电位所吸引的电子数超过该处的空穴数以后，栅极下面原空穴多的P型半导体表面就变成电子数目多的N型半导体表层。G极下由栅极正电位所形成这个N型半导体表层感生了大量的电子载流子。它是一个电子浓度很高的沟道（称为N沟道），这个沟道将G极两边的N区连在一起。电子从N+源区经此水平沟道流入N-外延区后，即在漏-源电压驱使下向漏极竖直漂移，形成漏极电流ID。 * 从断面图上可以看到栅极与附近两个N区被绝缘体SiO2绝缘隔开，所以G被称为绝缘栅极。图中一个P型区代表一个单元，图中画出两个单元的典型平面断面图。一个真实器件往往由数万个以上的单元组成，并且在结构上是立体交错互连的。 靠近G极处被G极正电位所吸引的电子数超过该处的空穴数以后，栅极下面原空穴多的P型半导体表面就变成电子数目多的N型半导体表层。G极下由栅极正电位所形成这个N型半导体表层感生了大量的电子载流子。它是一个电子浓度很高的沟道（称为N沟道），这个沟道将G极两边的N区连在一起。电子从N+源区经此水平沟道流入N-外延区后，即在漏-源电压驱使下向漏极竖直漂移，形成漏极电流ID。 * 从断面图上可以看到栅极与附近两个N区被绝缘体SiO2绝缘隔开，所以G被称为绝缘栅极。图中一个P型区代表一个单元，图中画出两个单元的典型平面断面图。一个真实器件往往由数万个以上的单元组成，并且在结构上是立体交错互连的。 靠近G极处被G极正电位所吸引的电子数超过该处的空穴数以后，栅极下面原空穴多的P型半导体表面就变成电子数目多的N型半导体表层。G极下由栅极正电位所形成这个N型半导体表层感生了大量的电子载流子。它是一个电子浓度很高的沟道（称为N沟道），这个沟道将G极两边的N区连在一起。电子从N+源区经此水平沟道流入N-外延区后，即在漏-源电压驱使下向漏极竖直漂移，形成漏极电流ID。 * 它表示器件的栅极电压对漏极电流的控制能力。 * 漏极电压UDS：允许承受的最高漏极电压 漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM ：最大允许通过的直流电流、脉冲电流 栅源电压：一般而言，正压施加15V，加负压时，若时间-5V、-10V，可加快关断 * 关断时间小于2微秒的电力MOS在开关状态时的安全工作区仅由其电流限和电压限界定，成一矩形，如虚线所示。 导通电阻限，是由电力MOS较大的导通电阻限制形成的，此线左上侧是不可能出现的区域，不是安全工作区的收缩。 * 无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压 当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压? * 无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压 当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压? * 无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压 当