文档详情

一种非对称SRAM存储单元和SRAM存储器.pdf

发布：2023-06-03约1.3万字共12页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802510 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110114509.9 (22)申请日 2021.01.27 (71)申请人中国科学院微电子研究所

显示全部

相似文档

一种SRAM存储单元及存储器.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802520 B (45)授权公告日 2022.05.06 (21)申请号 202110119716.3 CN 102804603 A,2012.11.28 (22)申请日
2023-06-05 约1.73万字 15页立即下载
一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112992225 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110195016.2 (22)申请日 2021.02.19 (71)申请人中国科学院微电子研究所
2023-06-09 约1.32万字 12页立即下载
一种存储器电路中存储单元的识别方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112801196 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110155309.8 (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人北京华大九天科技股份有限公司
2023-06-04 约7.99千字 7页立即下载
双端口SRAM单元及SRAM存储器.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114882923 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210339958.8 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人天狼芯半导体（成都）有限公司地址
2023-05-16 约1.18万字 10页立即下载
一种存储单元.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993149 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110173776.3 (22)申请日 2021.02.06 (71)申请人浙江驰拓科技有限公司
2023-06-10 约6.36千字 7页立即下载
一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802508 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110114507.X (22)申请日 2021.01.27 (71)申请人中国科学院微电子研究所
2023-06-03 约1.48万字 15页立即下载
一种SRAM单元结构、SRAM存储器以及上电初始化方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802509 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110114508.4 (22)申请日 2021.01.27 (71)申请人中国科学院微电子研究所
2023-06-03 约1.41万字 14页立即下载
SRAM存储单元阵列阈值电压偏差检测.docx SRAM存储单元阵列阈值电压偏差检测一、引言随着半导体技术的飞速发展，静态随机存取存储器（SRAM）以其高速读写和低功耗的特性在微电子领域中占据了重要地位。然而，SRAM存储单元阵列的阈值电压偏差问题逐渐成为影响其性能和可靠性的关键因素。阈值电压偏差可能导致存储单元的读写错误，进而影响整个系统的性能。因此，对SRAM存储单元阵列阈值电压偏差的检测显得尤为重要。本文将介绍SRAM存储单元阵列阈值电压偏差检测的方法、原理及实际应用。二、SRAM存储单元阵列阈值电压偏差的成因 SRAM存储单元阵列由多个交叉反相器对构成，每个交叉反相器对包括两个晶体管。阈值电压是晶体管正常工作的重要参数，其偏差
2025-05-18 约4.28千字 8页立即下载
一种MLC存储器的存储单元的读取方法和读取电路.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114822656 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210237722.3 (22)申请日 2022.03.10 (71)申请人珠海博雅科技股份有限公司地址 5
2023-05-15 约2.36万字 21页立即下载
存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112837730 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011302134.0 (22)申请日 2020.11.19 (30)优先权数据 16/693,67
2023-06-03 约2.6万字 26页立即下载
位字节字双字PLC存储器中的每个存储单元都有一个.ppt 电气控制与PLC技术（S7-1200）电气控制与PLC（S7-1200）电气控制与PLC技术（S7-1200）电气控制与PLC（S7-1200）电气控制与PLC（S7-1200）电气控制与PLC技术（S7-1200）4.6S7-1200PLC的存储区及数据类型4.6.1位、字节、字、双字PLC存储器中的每个存储单元都有一个唯一的地址，用户程序利用这些地址访问存储单元中的信息。在访问时主要寻址格式有：按位寻址、按字节寻址、按字寻址、按双字寻址。4.6.1位、字节、字、双字数据在存储器中的存取方式：位（bit）字节(Byte)1B=8bit字(Word)1W=2B=16bit双字(DoubleWo
2025-04-13 约2.62千字 17页立即下载
掩膜版版图、存储单元结构和存储器.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114815490 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110110973.0 H01L 23/528 (2006.01)
2023-05-17 约2.66万字 23页立即下载
SRAM存储单元抗单粒子翻转的关键技术与优化策略研究.docx SRAM存储单元抗单粒子翻转的关键技术与优化策略研究一、引言 1.1研究背景与意义在现代电子系统中，静态随机存取存储器（SRAM）作为一种重要的存储器件，以其高速读写、低功耗等显著优势，被广泛应用于各类数字电路、计算机系统以及嵌入式设备等领域。在计算机系统里，SRAM常被用作高速缓存（Cache），它能够快速响应CPU的读写请求，极大地提高了数据的访问速度，进而提升了整个系统的运行效率。在嵌入式设备中，SRAM为系统的实时数据处理和存储提供了有力支持，保障了设备的稳定运行。例如在智能手机、平板电脑等移动设备中，SRAM确保了操作系统和各类应用程序的快速启动与流畅运行，为用户带
2025-04-18 约3.01万字 24页立即下载
嵌入式SOI SRAM存储单元的创新设计与性能优化研究.docx 嵌入式SOISRAM存储单元的创新设计与性能优化研究一、引言 1.1研究背景与意义随着信息技术的飞速发展，嵌入式系统在各个领域得到了广泛应用，从消费电子、工业控制到航空航天等，几乎涵盖了现代生活的方方面面。嵌入式系统作为一种特殊的计算机系统，其核心功能是对外部环境进行实时监测和控制，这就要求系统具备高效的数据处理能力和快速的响应速度。而存储单元作为嵌入式系统中的关键组成部分，承担着存储程序代码和数据的重要任务，其性能直接影响着整个嵌入式系统的运行效率和可靠性。传统的存储单元技术在面对日益增长的高性能需求时，逐渐暴露出一些局限性。例如，体硅（BulkSilicon）工艺下的静态随机存
2025-05-10 约3.28万字 25页立即下载
《SRAM及存储器常识》课件.ppt **************SRAM的基本原理晶体管结构SRAM使用6个晶体管构建一个存储单元。每个晶体管负责控制电流流向，实现数据存储。数据存储数据以电荷的形式存储在晶体管的栅极。高电压表示逻辑“1”，低电压表示逻辑“0”。数据读取读取数据时，通过一个晶体管控制电流流向，判断电压状态。根据电压状态确定存储数据是“1”还是“0”。数据写入写入数据时，通过另一个晶体管改变栅极电压，将数据写入存储单元。存储单元保持数据直到被更新或电源关闭。SRAM的读写过程1写入数据将数据写入SRAM单元。2地址选择通过地址译码器选择要写入的单元。3数据传输通过数据总线将数据传输到SRAM单元。4写入信号写入信号
2024-12-19 约4.54千字 28页立即下载