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基于电荷平衡的扩展栅超结LDMOS：建模解析与特性洞察.docx

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基于电荷平衡的扩展栅超结LDMOS：建模解析与特性洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体器件领域，横向扩散金属氧化物半导体（LateralDiffusedMetalOxideSemiconductor，LDMOS）凭借其独特优势占据着至关重要的地位。LDMOS具有高电压和高功率承受能力，能够在高功率应用中稳定运行，这使其在无线通信、广播电视、雷达、医疗和工业等诸多领域得到了广泛应用。在无线通信基站中，LDMOS射频功率放大器以其低成本、可集成度高和数字预失真（DigitalPre-Distortion，DPD）友好等特性，成为信号放大的关键器件，保障了通信信号的稳

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