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计算机主板芯片级维修资料2 第七节 场效应管 1．场效应管的字母符号： “Q”或“VT”、“FET” 2. 场效应管的电路符号： 3 场效应管的组成： 场效应管是一种晶体管，与三极管相比有许多不同点。它有体积小、重量穷、耗电少、开关速度快、可靠性高、寿命长等优点。三极管是电流控制器件，而场效应管是电压控制元件，主要以栅极G的电压控制漏极D到源极S之间的导通能力，G极电压越高，D到S之间导通能力越强。场效应关还具有抗辐射能力和输入阻抗高等独特的优点，被广泛应用于各个电子领域。场效应管在电路中起信号放大、阻抗变换等作用。 场效应管分N沟道和P沟道两大类，在每一类中又分结型和绝缘栅型，这样场效应管的图形符号也就有区别。绝缘栅型场效应管又分增强型和耗尽型，图形符号也不一样。 （1）场效应管的组成： 场效应管分三个极：其中D极为漏极（也叫供电极） S极为源极（也叫输出极） G极为栅极（也叫控制极） D极与S极功能可互换使用 效应管的分类?： 场效应管按材料可分为： A：结型管 B：绝缘栅型管 增强型 耗尽型 一般电路中采用的场效应管大多是绝缘栅型管也称MOS管，并且大多采用增强型N沟道的最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型几乎不用。 场效应管按沟道可分成两类：P沟道及N沟道，其电路符号如图1所示。中间箭头向里的是N沟道而箭头向外的是P沟道。它有三个极：漏极（D）、源极（S）、栅极（G）。有一些功率MOS-FET内部在漏源极之间并接了一个二极管或肖特基二极管，这是在接电感负载时，防止反电势损坏 MOSFET。如图2所示。 电路中场效应管工作条件： 在介绍开关特性的时要知道一个很关键的参数，即场效应管的导通电压，由于场效应管的耐压不同，绝缘层的厚度不同，它的导通电压也不同。一般用ID（或－ID）为250μA时的UGS（或－UGS）值称为导通电压。一般场效应管工作条件有一个参数称为开启电压，开启电压一般在0.45~3V左右。 当场效应管D和S一端接供电、另一端接地时，工作条件： N沟道：UG＞输出电压（D或S）　且UGS（d）＝0.45~3V时，N管处于导通状态，且UGS越大，ID越大；截止条件：UG＜输出电压（D或S）　　ID没有电流或有很小的电流。 P沟道：UG＜输出电压（D或S）　—UGS（d）＝－0.45 ~ －3V时，N管处于导通状态，且UGS越大，ID越大；截止条件：UG＞输出电压（D或S）　　ID没有电流或有很小的电流。 4.场效应管的作用： 场效应管是电压控制型器件，输入栅极电压VG控制着漏极电流ID，即一定条件下，漏极电流ID取决于栅极电压VG。 5．场效应管的极性判断，管型判断及好坏判断 场效应管的极性判断，管型判断（如图） G极与D极和S极正反向均为∞ 场效应管的好坏判断 把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，须用表笔短接场效应管识引脚，然后再测量一次，若又测得一组为500左右读数时，此管也为好管。不符合以上规律的场效应管均为坏管。 6. 场效应管的代换原则 一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。 第八节 晶振 晶振的字母符号和图形符号： 晶振在电路板中用“X”或“Y”来表示。图形符号 作用： 与时钟芯片、声卡、网卡、显卡以及芯片组成振荡电路，是电路中高频信号产生源。 晶振频率的单位： 晶振频率的单位主要用“HZ”来表示，其换算关系为：1MHZ(兆赫兹)=103KHZ(千赫兹)=106HZ(赫兹) 晶振的分类： 主板上的晶振主要分为： ①时钟晶振：与时钟芯片相连 频率为14.318 MHZ 工作电压为1.1-1.6v ②实时晶振：与南桥相连 频率为32.768 KHZ 工作电压为0.4V左右 ③声卡晶振：与声卡芯片相连 频率为24.576 MHZ 工作电压为1.1-2.2V ④网卡晶振：与网卡芯片相连 频率为25.000 MHZ 工作电压为1.1-2.2V 晶振的好坏判断： 1.在晶振正常通电工作时，可以通过电压测试法来判断，如果工作电压出现偏低，则表示晶振没有起振； 2.在晶振正常通电工作时，也可以用示波器测，若有电压无波形则为晶振坏； 3.另外也可以用替换法来判断，换后电路正常工作则说明原来的已损坏。 晶振的代换原则： 晶振损坏后，必须拿相同频率、相同引脚的替换。 第九节 逻辑门电路芯片 在电路中能够实现各种逻辑关系的电路成为逻辑门电路，门电路是数字电路的最基本组成部分，在