GaN基发光二极管响应特性研究的中期报告.docx

GaN基发光二极管响应特性研究的中期报告 摘要： 本次研究使用MOCVD方法生长了具有不同掺杂浓度的GaN基发光二极管器件，并测试了它们的响应特性。数据表明，随着排斥区域的增加，器件的响应时间和暗电流均有所增加，亮度和光电转换效率则有所下降。 介绍： GaN基发光二极管是一种新型的固态光源，由于其高亮度、长寿命、低功耗等优点而得到了广泛的应用。然而，由于器件内的材料和结构特性等因素的影响，其响应特性与电学和光学参数之间的关系并不完全清晰。因此，对其响应特性的研究一直是该领域的热点之一。 实验： 本次实验使用了金属有机化学气相沉积（MOCVD）法生长了多个具有不同掺杂浓度的GaN基发光二极管器件。通过对这些器件进行光电特性和电学特性的测试，得到了它们的响应时间、亮度、暗电流和光电转换效率等参数，并分析了它们之间的关系。 结果和讨论： 实验数据表明，随着排斥区域的增加，器件的响应时间和暗电流均有所增加，亮度和光电转换效率则有所下降。这可能是由于增加了耗散区域，导致光电能够在器件内部地扩散并被吸收，从而产生了更高的暗电流和更长的响应时间。另外，在一定范围内，增加掺杂浓度可以同时提高亮度和光电转换效率。 结论： 本次研究对GaN基发光二极管的响应特性进行了初步探究，并从理论和实验上探讨了其与器件内部结构的关系。未来的研究可以进一步探究掺杂浓度、耗散区域以及其他因素对其响应特性的影响，以提高器件的性能。