快恢复二极管20DL2C参数.pdf

超快恢复二极管型号参数.doc 超快恢复二极管 最大平均正向电流最大正向峰值浪涌电流正向电压降最大反向电流TA=25℃ 典型结电容最大转速恢复时间封装 VRRM IO @ TA IFSM VF @ IF IR Cj Trr V A ℃ A V A μA pF ns /main.asp 1安培（含铅整流器） SF11S 50 1.0 55 30 1.0 1.0 5.0 30 35 A-405 SF12S 100 1.0 55 30 1.0 1.0 5.0 30 35 A-405 SF13S 150 1.0 55 30 1.0 1.0 5.0 30 35 A-405 S

2016-12-25 约1.7万字 8页立即下载

提高超快恢复二极管电参数成品率的工艺改进.docx 提高超快恢复二极管电参数成品率的工艺改进摘要：本篇论文着力解决困扰我厂多年的超快恢复二极管的电参数成品率的问题，通过分析快恢复二极管工作原理并结合我厂实际生产工艺，选取比原工艺电阻率高的N型单晶硅片，采用多次深结磷扩散工艺实现穿通型结构设计；调整硅片减薄厚度，降低了器件的体压降；对铂扩散工艺引入符合中心进行工艺优化，通过降低铂扩散温度和铂扩散时间的方式，获得了最优的VF-trr特性，折衷了器件正向压降VF与反向恢复时间trr参数指标的矛盾，提高了超快恢复二极管2CZ5806的电参数合格率，并优化一系列制造工艺，提高了超快恢复二极管的成品率及可靠性，新的工艺方案可运用我厂其他超快恢复二极管的制造

2016-12-26 约8.77千字 20页立即下载

提高超快恢复二极管电参数成品率的工艺改进.docx 提高超快恢复二极管电参数成品率的工艺改进摘要：本篇论文着力解决困扰我厂多年的超快恢复二极管的电参数成品率的问题，通过分析快恢复二极管工作原理并结合我厂实际生产工艺，选取比原工艺电阻率高的N型单晶硅片，采用多次深结磷扩散工艺实现穿通型结构设计；调整硅片减薄厚度，降低了器件的体压降；对铂扩散工艺引入符合中心进行工艺优化，通过降低铂扩散温度和铂扩散时间的方式，获得了最优的VF-trr特性，折衷了器件正向压降VF与反向恢复时间trr参数指标的矛盾，提高了超快恢复二极管2CZ5806的电参数合格率，并优化一系列制造工艺，提高了超快恢复二极管的成品率及可靠性，新的工艺方案可运用我厂其他超快恢复二极管的制造

2017-05-30 约8.73千字 21页立即下载

肖特基二极管和快恢复二极管.pdf 肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us 以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用 PN结型结构，有的采用改进的 PIN 结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在 1200V 以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在 100 纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40 纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于 1

2017-04-06 约3.57千字 5页立即下载

快恢复二极管模块.PDF 快恢复二极管模块特点芯片与底板电气绝缘，交流绝缘 IF(AV) 200 A 优良的温度特性和功率循环能力 VRRM 600-1600 V 体积小，重量轻典型应用

2017-08-30 约1.93千字 2页立即下载

很全的二极管参数.pdf GENERAL PURPOSE RECTIFIERS – PLASTIC PASSIVATED JUNCTION MERITEK ELECTRONICS CORPORATIO

2017-05-25 约12.05万字 14页立即下载

贴片二极管型号参数.pdf

2021-09-27 约小于1千字 3页立即下载

二极管的主要参数.doc PAGE PAGE 1 二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 ?? 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数

2021-05-05 约3.19千字 4页立即下载

二极管参数说明.doc PAGE PAGE 1 文字符号中文 English IF(AV) 正向平均电流(整流管) mean foreard current (of diode) IT(AV) 通态平均电流 mean on-state current VRSM 反向不重复峰值电压 non-reetitive peak reverse voltage VRRM 反向重复峰值电压 repetitive peak reverse voltage VDSM 断态不重复峰值电压 non-repetitive peak off-state voltage VDRM 断态重复峰值电压 repetitive peak of

2021-05-06 约3.18千字 3页立即下载

快恢复二极管的作用与肖特基二极管的区别.doc 快恢复二极管的作用答 1:一般地说用于较高频率的整流和续流。至于电源模块的输入部份，好像频率不高，不必用快恢复二极管，用普通二极管即可。答 2:.对于二极管来说，加在其两端的电压由正向变到反向时，响应时间一般很短，而相反的由反向变正向时其时间相对较长，此即为反向恢复时间，当二极管用做高频整流等时，要求反向恢复时间很短，此时就需要快恢复二极管（FRD），更高的超快恢复二极管（SRD），开关二极管，最快的是肖特基管（其原理不同于以上几个二极管） 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，

2017-08-15 约3.21千字 4页立即下载

高压快恢复二极管设计与研究.pdf 摘要功率半导体器件作为电力电子技术的核心，伴随着电力电子技术的飞速发展，产业界对其的需求也越来越大。功率二极管作为功率半导体器件中最常见的一类，在电力电子电路中主要用来整流和续流。随着高频电气中的IGBT和功率MOSFET 的广泛应用，对与之配合使用的功率二极管的提出了更高的性能要求。传统的Si PiN二极管反向恢复性能较差，针对这样的需求，一种提升了SiPiN二极管反向恢复性能的被称为快恢复二极管（FastRecoveryDiode，FRD）的功率二极管得到了广泛应用。随着二极管技术的不断迭代，在中低压和中高频的应用领域，SiCJBS 二极管由于其较低的正向压降和零反向恢复的特点，

2025-06-09 约7.53万字 74页立即下载

三、二极管的使用常识（一）二极管的主要参数.ppt * 1.3 二极管的分析方法 1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似一、理想二极管 特性 uD iD 符号及等效模型 S S 正偏导通，uD= 0 ; 反偏截止， iD= 0 U(BR)= ? 二、二极管的恒压降模型 uD iD UD(on) uD = UD(on) 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) UD(on) 三、二极管的折线近似模型 uD iD UD(on) ?U ?I 斜率1/ rD rD UD(on) 第1章半导体二极管 UD(on) 例1.3.1 硅二极管，R = 2k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出VDD = 2V 和 VDD

2017-08-15 约2.55千字 10页立即下载

整流二极管参数表.xls 超快速 快恢复 肖特基 Type Case Style A V μA ns FR101 FR102 FR103 FR104 FR105 FR106 FR107 DO--41 FR151 FR152 FR153 FR154 FR155 FR156 FR157 DO--15 FR201 FR202 FR203 FR204 FR205 FR206 FR207 FR251 FR252 FR253 FR254 FR255 FR256 FR257 R--3 FR301 FR302 FR303 FR304 FR305 FR306 FR307 DO--27 FR601 FR602 FR603 FR604 FR

2015-09-09 约字 6页立即下载

整流二极管参数表.xls 超快速 快恢复 肖特基 Type Case Style A V μA ns FR101 FR102 FR103 FR104 FR105 FR106 FR107 DO--41 FR151 FR152 FR153 FR154 FR155 FR156 FR157 DO--15 FR201 FR202 FR203 FR204 FR205 FR206 FR207 FR251 FR252 FR253 FR254 FR255 FR256 FR257 R--3 FR301 FR302 FR303 FR304 FR305 FR306 FR307 DO--27 FR601 FR602 FR603 FR604 FR

2015-09-09 约字 6页立即下载

常见变容二极管参数18种.doc 常见变容二极管参数18种慧聪电子元器件商务网　2003-09-12 14:42:05 型号电容量（工作电压）电容比率工作频率最小值最大值 303B 3～5p(25V) 18p(3V) 6 1000MHz 2AC1 2p(25V) 27p(3V) 7 50MHz 2CC1 3.6p(25V) 20p(3V) 4～6 50MHz 2CB14 3p(25V) 18～30p(3V) 5～7 50MHz 2CC-32 2.5p(25V) 25p(3V) 4.5 800MHz ISV-101 12p(10V) 32p(2.5V) 2.4 100MHz AM-109 30p(9V)

2017-06-06 约4.68千字 5页立即下载