欧姆龙MOSFET继电器的使用注意事项.doc

欧姆龙MOSFET继电器使用注意事项 警告 布线时请务必切断电源 否则可能触电。 通电中不要接触MOS FET的端子部 （充电部）。接触充电部的 话可能导致触电。 安全上的注意点 1．MOS FET的输入回路、输出回路上不要施 加过电压、过电流。否则可能导致 MOS FET故障以及引起火灾。2．布线以及焊接请按照焊接条件正确地 进行。焊接不完全的状态下使用的 话，可能会由于通电时异常发热而引起烧毁。 正确的使用方法 ●关于降额设计为实现系统要求的信赖度，降额措施必不可少。 为充分放心地使用MOS FET继电器，除了对最大额定值和推荐动作条件采取降额措施外，条件允许时还请在根据使用环境条件确认实际设备的基础上，进行留有充足余量的设计。 （1）最大额定值最大额定值为即使是瞬间也不能超过的规定值，存在多个额定值时，不能超过任意一个数值。超过最大额定值时，可能导致MOS FET继电器内部的劣化以及集成电路块的损坏。因此，为了充分放心地使用MOS FET继电器，对于电压、电流、温度的最大额定值，请测算出足够的降额后再进行设计。 （2）推荐动作条件推荐动作条件是为了让MOS FET继电器准确进行动作、复位而推荐的动作条件。为了充分放心地使用MOS FET继电器，请在考虑推荐动作条件的基础上进行设计。 （3）实施失效保护可能会因MOS FET继电器的故障、特性劣化及功能异常等对系统的安全动作造成重大影响时，建议根据用途实施失效保护措施。 ●MOS FET继电器驱动回路的代表例 C-MOS的场合 晶体管的场合 为了保证MOS FET继电器正确的动作， 求得LED电流限制电阻的方法为 ：电流限制电阻  为了保证MOS FET继电器正确的动作， 求得LED顺向电压的方法为 ：复位电压（LED顺向） VF(OFF)=VCC —IFR1—VOH 0.8V ●输入侧浪涌电压保护 向输入端子施加反向的浪涌电压时，与 输入端子反响并联二极管，不要施加 3V 以上的反方向电压。 输入侧的浪涌电压保护回路例 ●输入侧浪涌电压保护 输出端子间出现超过绝对最大额定的 电压时，负载上并联C-R 缓冲器、反 向二极管以限制过电压。 输出侧过电压保护回路例 ●关于未使用端子 ·6脚型的3号端子用于MOS FET继电器的内部回路，因此外部回路上不要有任何连接。 ●关于自动封装时的卡抓保持力 自动封装时的卡抓保持力，为了保持 MOS FET继电器的特性，请将压力设定 如下: ●关于负载连接方法 MOS FET继电器在动作中将输出端子 间进行短路的话会成为故障的原因，应 避免短路。 ●关于预估寿命 本公司MOS FET继电器使用的LED分为两大类，并根据LED的种类预估寿命。各MOS FET继电器和所使用的LED对应表如下所示。此外，下页刊载了预估寿命数据。此外，该结果是根据单个批次产品的长期数据进行预估的，因此请用作参考数据。 使用GaAs LED的MOS FET继电器型号对应表DIP SOP SSOP G3VM-61A1/D1 G3VM-21GR G3VM-201G G3VM-21LR G3VM-61B1/E1 G3VM-21GR1 G3VM-201G1 G3VM-21LR1 G3VM-62C1/F1 G3VM-41GR3 G3VM-S5 G3VM-41LR3 G VM-2L/2FL G3VM-41GR4 G3VM-201H1 G3VM-41LR4 G3VM-351A/D G3VM-41GR5 G3VM-202J1 G3VM-41LR5 G3VM-351B/E G3VM-41GR6 G3VM-351G G3VM-41LR6 G3VM-352C/F G3VM-41GR7 G3VM-351G1 G3VM-61LR G3VM-353A/D、353A1/D1 G3VM-41GR8 G3VM-351GL G3VM-81LR G3VM-353B/E、353B1/E1 3VM-61G1 G3VM-353G、353G1 G3VM-101LR G3VM-354C/F、354C1/F1 G3VM-61G2 G3VM-351H —— G3VM-355C/F、355CR/FR G3VM-61VY G3VM-353H、353H1 G3VM-WL/WFL G3VM-61GR1 G3VM-352J G3VM-401A/D G3VM-61H1 G3VM-354J、354J1 G3VM-401B/E G3VM-62J1 G3VM-355J、355JR G3VM-401B /EY G3VM-81G1 G3VM-401G G3VM-402C/F G3VM-81GR G3VM-401H G3VM-