2晶体三极管和场效晶体管.DOC
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课题 2.1 晶体三极管和场效晶体管
课型 新课 授课班级 授课时数 1
教学目标 1．掌握三极管的结构、分类和符号
2．理解三极管的工作电压和基本连接方式
3．理解三极管电流的分配和放大作用、掌握电流的放大作用
教学重点 三极管结构、分类、电流分配和放大作用
教学难点 电流分配和放大作用
学情分析
教学效果
教后记 A．引入
在电子线路中，经常用的基本器件除二极管外，还有三引脚的三极管。
B．新授课
2.1.1 三极管的结构、分类和符号
一、晶体三极管的基本结构
1．观察外形
2．三极管的结构图
三极：发射极、基极、集电极
两结：发射结、集电结
三区：发射区、基区、集电区
3．特点
（1）发射区掺杂浓度较大，以利于发射区向基区发射载流子。
（2）基区很薄，掺杂少，载流子易于通过。
（3）集电区比发射区体积大且掺杂少，收集载流子。
注意：三极管并不是两个PN结的简单组合，不能用两个二极管代替。
二、图形符号
a．NPN型 b．PNP型
三、分类
1．内部三个区的半导体分类：NPN型、PNP型
2．工作频率分类：低频管和高频管
3．以半导体材料分：锗、硅
2.1.2 三极管的工作电压和基本连接方式
一、三极管的工作电压
1．三极管工作时，发射结加正向电压，集电结加反向电压。
2．偏置电压：基极与发射极之间的电压。
二、三极管在电路中的基本连接方式
1．共发射极接法
共用发射极
2．共基极接法
共用基极
3．共集电极接法
共用集电极
2.1.3 三极管内电流的分配和放大作用
一、电流分配关系
三极管的特殊构造，使三极管具有特殊作用。
1．实验电路
2．三极管中电流分配关系
（1）IE???IC+IB。
（2）基极电流IB很小，所以IE??(?IC。
3．ICEO?——基极开路时c、e的电流
ICEO越小，说明温度稳定性越好。
4．ICBO——发射极开路时c、b间的电流
集电极、基极反向饱和电流
二、电流放大作用
1．当IB有较小变化时，IC就有较大变化
2．交流电流放大系数：
注意：工作电流不同，β不同，在IC较大范围内，β变化很小。
3．直流电流放大系数
4．IC＝(IB
IC?＝?→分类→电流分配关系
布置作业 习题二 2-1，2-2，2-3，2-4
课题 2.1.4 三极管的输入和输出特性
课型 新课 授课班级 授课时数 1
教学目标 1．熟悉三极管的输入和输出特性曲线
2．能正确指出输出特性曲线的三个区域，明确三极管的三个状态
3．能正确判别三极管的三个状态
教学重点 三极管的输出特性曲线、工作状态
教学难点 工作状态的判别
学情分析
教学效果
教后记 A．复习
1．三极管的类型、分类、结构。
2．三极管的电流分配关系。
3．三极管的电流放大作用。
B．引入
三极管的基本作用已经明了，还需进一步了解三极管的特性，包括输入特性和输出特性的特性曲线，三极管在不同电压条件下的工作状态等。
C．新授课
一、三极管共发射极输入特性
1．定义：VBE与IB的数量关系。
2．输入特性曲线
——对每一个固定的VCE值，IB随VBE的变化关系。
（1）当VCE增大时，曲线应右移。
（2）当VBE (?0.3 V时，曲线非常靠近。
（3）当VBE大于发射结死区电压时，IB开始导通。
导通后VBE的电压称为发射结正向电压或导通电压值，硅管为0.7 V，锗管约为0.3 V。
二、晶体三极管的输出特性曲线
1．定义
每一个固定的IB值，测出IC和VCE对应值的关系。
2．三个区域
（1）截止区：
①IB???0，三极管截止，IB???0以下的区域。
②IB???0，IC≠0，即为ICEO。
③三极管发射结反偏或两端电压为零时，为截止。
（2）饱和区：
①VCE较小的区域。
②IC不随IB的增大而变化。
③饱和时的VCE值为饱和压降。
④VCES：硅管为0.3 V，锗管为0.1 V。
⑤发射结、集电结都正偏，处于饱和。
（3）放大区：
①IC受IB控制，ΔIC=(ΔIB，具有
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