40Gbits集总型电吸收调制器的研制的中期报告.docx

40Gbits集总型电吸收调制器的研制的中期报告 本研究的目标是开发一种高速光电子器件，即40Gbits集总型电吸收调制器。该器件可用于光通信和数据中心。此中期报告提供了研究的进展情况和结果。 首先，我们设计了调制器结构并进行了模拟。调制器由一对铝镓砷/镓砷多量子阱（AlGaAs/GaAs MQW）和选择性区域高斯吸收区组成。MQW用于光电转换，吸收区用于调制，该设计可实现高速调制并降低损耗。 接下来，我们使用金属有机气相沉积法生长了多层MQW晶体。通过扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）对晶体结构进行了表征，并确定了适宜的成分比例和厚度。 然后，我们通过电子束光刻技术和反应离子刻蚀技术制备了调制器样品。我们使用测试台进行了测试和测量。实验结果表明，调制器在1460 nm波长下具有高达24 dB的串扰抑制比，并具有高达40 Gbps的数据传输速率。这说明调制器样品的大范围性能表现出色，符合预期目标。 最后，我们还对调制器进行了可靠性测试，包括温度应力和寿命测试。测试结果证明，电吸收调制器在宽温度范围内稳定可靠，表明该器件可使用于复杂的应用环境中。 总之，本研究已经成功开发了40 Gbits集总型电吸收调制器，并证明了它在光通信和数据中心中具有实际应用的潜力。我们将继续深入研究，进一步优化器件性能，以实现更高的速度和更高的可靠性。