《电子技术基础》习题三答案.doc

《电子技术基础》习题三答案 一、单项选择题（本大题共30小题，每小题2分，共60分） 1、测得处于放大状态的某三极管当IB=30(A时，IC=2.4mA；IB=40(A时，IC=3mA；该三极管的交流放大倍数为（ B ） A、80 B、60 C、75 D、100 2、图示三极管应用电路中，三极管的UBE= 0.6V，(=50，如果近似认为三极管集电极与发射极间饱和电压UCES ≈ 0，则三极管的集电极电流IC ( C )。 A、等于5mA B、等于3mA C、约等于4mA D、等于0 3、图示三极管应用电路中，三极管工作在 ( C )。 A、截止区 B、饱和区 C、放大区 D、击穿区 4、测得放大电路中某三极管各管脚对参考点的电位分别为：管脚①2.3V，管脚②3V，管脚③-9V，则可判定( D )。 A、该三极管是锗管且管脚①是发射极 B、该三极管是硅管且管脚③是发射极 C、该三极管是硅管且管脚①是发射极 D、该三极管是硅管且管脚②是发射极 5、增强型NMOS管的电路符号是下图中的（ A ） 6、图示差动电路，在电路非理想对称的条件下，增大RE对放大电路性能的影响是( B )。 A、提高共模电压放大倍数 B、提高共模抑制比 C、提高差模电压放大倍数 D、增加差模输入电阻 7、图示差动电路中，增加RE对放大电路性能的影响是( C )。 A、减小共模抑制比 B、减小差模电压放大倍数 C、减小共模电压放大倍数 D、增加差模输入电阻 8、功率放大电路如图所示，三极管的饱和压降UCES=2V，该电路的最大效率ηmax为( B )。 A、78.5% B、62.8% C、50% D、100% 9、功率放大电路如图所示，三极管的饱和压降UCES=2V，则负载RL可获得的最大不失真功率Pomax为（ B ）。 A、6.25W B、4W C、12.5W D、8W 10、为了提高放大电路的效率和带负载能力，多级放大电路的输出级常采用（ A ）。 A、互补对称功率放大电路 B、三极管差动放大电路 C、共发射极放大电路 D、共集电极放大电路 11、图示电路中RF引入的级间反馈类型为( C )。 A、串联电压负反馈 B、串联电流负反馈 C、并联电压负反馈 D、并联电流负反馈 12、图示电路中RF引入的级间反馈类型为（ A ） A、串联电压负反馈 B、串联电流负反馈 C、并联电压负反馈 D、并联电流负反馈 13、在放大电路中引入负反馈后，对放大电路性能的影响是（ B ）。 A、增大放大倍数，提高放大倍数的稳定性 B、减小放大倍数，改善非线性失真 C、提高输入电阻，减小输出电阻 D、减小放大倍数，消除非线性失真 14、集成稳压电源W7805应用电路如图所示，输出电压UO的大小为( C )。 A、5V B、6V C、11V D、18V 15、逻辑电路如图所示，TTL逻辑门电路的关门电阻ROFF=0.7k?，开门电阻RON=2k?，在上拉电阻RU取值正常的情况下，输出端F的逻辑表达式为（ A ）。 A、 B、 C、 D、 16、三态门电路如图所示，则F的逻辑表达式为( D )。 A、 B、 C、 D、 17、图示逻辑电路中，已知TTL门电路的关门电阻ROFF=0.7k(，开门电阻RON=2k(，则输出输出F的逻辑表达式为( B )。 A、 B、 C、 D、 18、对TTL与非门电路多余的输入端子，不可以（ C ）. A、接高电位 B、与有用输入端子并联 C、接地 D、通过电阻接地 19、TTL逻辑电路如图所示中、输出F的高、低电平值约为（ D ）。 A、 B、 C、 D、 20、时序逻辑电路如图(a)所示，设D触发器的初始状态为“0”，在时钟脉冲CP作用下Q端的波形为图(b)中的（ D ）。 21、JK触发器组成的电路如图(a)所示，设触发器的初始状态为“0”，时钟脉冲CP的波形如图(b)中所示，则输出Q的波形为图(b)中的( A )。 22、555集成定时器构成的应用电路如图所示，当开关S接通后扬声器( A )。 A、将会一直发出声响 B、发出声响一段时间后自动停止 C、永远不会发出声响 D、开始不会发出声响，延时一段时间后会一直发出声响 2