VIPer12A功率开关电源IC.pdf

LK VIPer12A AC/DC PWM功率开关 - 1 - 特点 ? 宽电压 85~265Vac 输入 ? 待机功耗小于 120mW@220Vac ? 集成高压启动电路 ? 集成高压功率开关 ? 9V~38V 宽 VDD 工作电压 ? 电流模式 PWM 控制方式 ? 内置过温、过流、过压、欠压锁 定等保护功能 ? 兼容 VIPer12 管脚（不需 要修改电路走线及变压器） ? 封装形式：DIP8、SOP8 应用领域 ? 典型电磁炉 BUCK 电路应用方案 ? 小功率充电器 ? 小功率适配器 ? 待机电源 ? DVD、DVB 以及其他便携式设备 电源 概述 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片，集成高压 启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的解决 方案。 芯片 VDD 的工作电压范围宽，很方便的应用于充电器领域。芯片 提供了过温、过流、过压、欠压等保护功能，保证了系统的可靠性。 管脚图 DIP8 SOP8 输出功率表 输入电压 85Vac～265Vac 180Vac～265Vac 输出功率 8W 13W 注：输出功率 10W 以上，建议根据实际方案增加散热措施： ? 增加独立散热片； ? 其他散热措施。 典型示意电路图 v1.6 LK VIPer12A LK VIPer12A LK VIPer12A LK VIPer12A - 2 - 内部方框图 内部电源 产生电路 -- +8V/14.5V 前沿消隐电路 -- + 振荡电路 S R1 R2 R3 0.23V S2 R1 Q Q GND DRAIN FB VDD 基准电路 LVDD VREF 过温保护电路 欠压保护电路 S1过压保护电路 VDD钳位电路 230ohm 1K ohm 驱动 管脚示意图 DIP8/SOP8 管脚说明 名称 管脚序号 管脚说明 GND 1,2 芯片地，同时也是内置高压 MOS 管 SOURCE 端口 FB 3 反馈输入端口 VDD 4 芯片电源端，工作电压范围可达 9V——38V DRAIN 5,6,7,8 内置高压 MOS 管的 DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的启动 LK VIPer12A AC/DC PWM功率开关v1.6 LK VIPer12A - 3 - 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 VDS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 -0.3～730 V VDS(ST) 芯片启动时，DRAIN 脚最高耐压 -0.3～400 V VDD 芯片电源电压 -0.3～38 V Ivdd 嵌位电流 10 mA IFB 最大反馈电流 3 mA VESD ESD 电压 4000 V TJ 结温 -40～150 ℃ TSTG 存储温度 -55～150 ℃ 热阻参数 符号 说明 单位 RthJA 热阻(1) 45 ℃/W 注（1）：芯片要焊接在有 200mm2铜箔散热的 PCB 板，铜箔厚度 35um，铜箔连接到所有的 GND 脚。 电气工作参数 (除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃，VDD=18V) 符号 说明 条件 范围 单位 最小 典型 最大 BVDS 漏源击穿电压 VFB=2V; ID=1mA 730V - - V IDSS DRAIN 端关断态漏电流 VFB=2V; VDS=500V - - 0.1 mA RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A - 19 - Ohm VDDON VDD 开启电压 13 14.5 16 V VDDOFF VDD 关闭电压 7 8 9 V VDDHYS VDD 迟滞阈值电压 - 6.5 - V VDDOVP VDD 过压保护阈值 - 39 - V IDD1 VDD 工作电流 IFB=2.0mA - 0.4 - mA IDD2 VDD 工作电流 IFB=0.5mA;ID=50mA - 1.0 - mA IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; VDD=5V - -220 - uA FOSC 芯片振荡频率 - 60 - KHz GID IFB/IDRAIN增益 - 320 - ILIMIT 峰值电流阈值 VFB=0V - 400 - mA IFBSD FB 关断电流 - 0.9 - mA RFB FB 输入电阻 ID=0mA - 1.23 - Kohm