第10章：场效应管的识别与检测.ppt

场效应管识别与检测 （2）万用表区分N沟道和P沟道场效应管 （a）首先将指针式万用表拨在R×1k档上。 （b）将万用表的黑表笔（或红表笔）任意接触一个电极，另一只表笔依次接触其余的两个电极，测其电阻值。若两次测量的电阻值均很大，说明是反向PN结，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测量的电阻值均很小，说明是正向PN结，即都是正向电阻，可以判定是P沟道场效应管，且黑表笔接的也是栅极。 * 1. 场效应管的特点和分类 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) （二）分类 （一）特点 利用输入回路的电场效应控制输出回路的电流；仅靠半导体中的多数载流子导电（单极型晶体管）；输入阻抗高（107~1012?），噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗小。 如何从外形区分结型场效应管和绝缘栅场效应管 1.在看电路图时，图上的标记符号图形都有明示。符号是FET(结型场效应管）、IGFET(绝缘栅场效应管）三个极是G，D，S。 2.现行场效应管有两种命名方法。 第一种命名方法与双极型三极管，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 2. 场效应管的主要参数 （一）直流参数 ①开启电压VGS(th)：对增强型MOS管，当VDS为定值时，使iD刚好大于0时对应的VGS值。 ②夹断电压VGS(off) （或VP）：对耗尽型MOS管或JFET ，当VDS为定值时，使iD刚好大于0时对应的VGS值。 ③ 饱和漏极电流IDSS：对耗尽型MOS管或JFET ，VGS=0时对应的漏极电流。 ④ 直流输入电阻RGS：对于结型场效应三极管，RGS大于107Ω， MOS管的RGS大于109Ω， 。 （二）交流参数 ① 低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得。 ? 极间电容： Cgs和Cgd约为1~3pF，和 Cds约为0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。 （三）极限参数 ① 最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流的上限值。 ? 击穿电压V(BR) DS、 V(BR) GS：管子漏-源、栅-源击穿电压。 ③ 最大耗散功率 PDM ：决定于管子允许的温升。 注意 ：对于MOS管，栅-衬之间的电容容量很小，RGS很大，感生电荷的高压容易使很薄的绝缘层击穿，造成管子的损坏。因此，无论是工作中还是存放的MOS管，都应为栅-源之间提供直流通路，避免栅极悬空；同时，在焊接时，要将烙铁良好接地。 ③ 输出电阻rd： 3. 场效应管与晶体管的比较 ① 场效应管的漏极d 、栅极g和源极s分别对应晶体管的集电极c、基极b和发射极e，其作用类似。 ② 场效应管以栅-源电压控制漏极电流，是电压控制型器件，且只有多子参与导电，是单极性晶体管；三极管以基极电流控制集电极电流，是电流控制型器件，晶体管既有多子又有少子参与导电，是双极性晶体管。 ? 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小。 ? 场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互换使用。 ?场效应管的种类多，栅-源电压可正、可负，使用更灵活。 ? 场效应管集成工艺更简单、功耗小、工作电源电压范围宽，使之更多地应用于大规模和超大规模集成电路中。 ? 一般情况下，由晶体管构成的放大电路具有更高的电压放大倍数和输出功率。 一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判 别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几 千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也 行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分 别为漏极和源极。 4. 场效应管的判别与检测 可定性判断结型场效应管的电极，方法如下： 将万用表拨至R×10