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准一维硒化锌纳米材料的可控掺杂及其纳米光电子器件的研究的中期报告.docx

发布:2023-08-20约小于1千字共2页下载文档
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准一维硒化锌纳米材料的可控掺杂及其纳米光电子器件的研究的中期报告 该研究主要探究了准一维硒化锌纳米材料的可控掺杂及其纳米光电子器件的制备等方面的中期研究成果。具体内容如下: 1. 实验方法 通过气相沉积法制备准一维硒化锌纳米材料。在制备过程中加入氮气或氧气等掺杂气体,实现对硒化锌材料的可控掺杂。制备出不同掺杂浓度的硒化锌材料,并通过光电子能谱 (XPS) 等技术分析样品的掺杂情况。 2. 结果与讨论 通过XPS分析,发现样品表面出现了掺杂元素的信号峰。同时,样品的电学性质也发生了明显的变化,掺杂后的硒化锌材料的电导率提高了数倍。表明掺杂成功,掺杂元素已经有效地贡献了额外的自由载流子。 另外,我们通过控制硒化锌纳米线的生长条件和掺杂浓度,成功制备了一系列的硒化锌纳米材料,包括n型、p型和非掺杂硒化锌材料。进一步研究发现,不同类型的硒化锌材料具有不同的光电学性质,如不同的波长的光激发后,所产生的载流子寿命等。 3. 纳米光电子器件制备及测试 我们进一步将不同类型的硒化锌纳米材料制备成光电光控制器件(如光电晶体管和光电二极管),通过测试发现,掺杂锌硒纳米线晶体管具有明显的电流放大效应,掺杂氧化锌纳米线光电二极管具有良好的光电响应能力。 4. 结论 本研究成功地制备了不同类型和不同掺杂浓度的硒化锌纳米材料,并研究了不同类型的硒化锌材料的光电学性质及其在光电子器件中的应用。实验结果表明硒化锌纳米材料具有良好的光电性能和应用前景,在纳米光电子器件领域具有广阔的应用前景。
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