SJ-Z 11361-2006 集成电路IP核保护大纲.pdf
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SJ/T 11507--2015言前本标准是按照GB/T1.1-2009之规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。本标准起草单位：江阴润玛电子材料股
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ICS 31. 030L 90备案号：50563-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11506—2015集成电路用铝腐蚀液Aluminum etching solution for Integrated Circuit2015－10-01实施2015 04 -30 发布SJ发布中华人民共和国工业和信息化部
SJ/T 11506—2015言前本标准是按照GB/T 1.12009之规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准起草单位：江阴润玛电子材料股份有限公司、工业
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114188922 A
(43)申请公布日 2022.03.15
(21)申请号 202111313980.7
(22)申请日 2021.11.08
(71)申请人 力智电子（深圳）有限公司
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集成电路测试与可靠性设计
结课论文
超大规模集成电路测试技术
姓名：高亚静
班级：B08212
学号：20084021220
摘要
随着系统集成度与加工技术的飞速发展，VLSI 领域中的一个重要研究方向。本文较全面的介绍了各种VLSI 测试方法，VLSI 测试技术的发展趋势。
关键词： ；；；
随着系统集成度与加工技术的飞速发展，( VLSI) 测试已成为一个越来越困难的问题。先进的技术使得人们能以合理的成本快速设计和制造非常复杂的电路，随着产品成本的降低，总成本中测试所占的比重不断增加。为了控制成本，，VLSI ATE(自动测试设备)的发展很难跟得上芯片的发展步伐(系统时钟、信号精度、存储
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一、名词解释
（1）化学气相沉积：化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应，在表面上以薄膜形式产生固态的副产品，其它的副产品是挥发性的会从表面离开。
（2）物理气相沉积：“物理气相沉积” 通常指满意下面三个步骤的一类薄膜生长技术:
a.所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体;b.生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底;c.蒸汽在衬底表面上凝聚，形成薄膜
(3)溅射镀膜：溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加速，使其获得一定的动能后，轰击靶电极，将靶电极的原子溅射出来，沉积到衬底形成薄膜的方法。
(4)蒸发镀膜：加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸汽流并入射
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114578218 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202111435461.8 (51)Int.Cl.