第六章脉冲波形的产生和整形.doc

第六章脉冲波形的产生和整形 [题6.1)用施密特触发器能否寄存1位二值数据，说明理由。 [题6.2]在图P6.2(a)示的施密特触发器电路中，已知R1=10 kΩ，R2= 30 kΩ。G1和G2为CMOS反相器，VDD=15 V。 （1）试计算电路的正向阈值电压Vt+、负向阈值电压Vt-_和回差电压△VT。 (2)若将图P6.2(b)给出的电压信号加到图P6.2(a)电路的输入端，画出输出电压的波形。 [题6. 3 ]图P6. 3是用CMOS反相器接成的压控施密特触发电路，试分析它的转换电平vT . , VT_以及回差电压△VT与控制电压Vco的关系。 [题6. 4 ]在图6. 2. 3的施密特触发器电路中，若G1和G2为74 LS系列与非门和反相器，它们的阈值电压VTH= 1. 1 V , R1 = 1 kΩ , R2=2 kΩ,二极管的导通压降VD = 0. 7 V，试计算电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。 [题6.5]图P6. 5是具有电平偏移二极管的施密特触发器电路，试分析它的工作原理，并画出电压传输特性。G1 G2 G3均为TTL电路。 [题6. 6 ] 在图P6.6的整形电路中，试画出输出电压vo的波形。输入压v1，的波形如图中所示，假定它的低电平持续时间比R、C电路的时间常数大得多。 [题6.7]能否用图P6.6的电路作单稳态触发器使用？试说明理由. [题6.8] 在图6. 3. 1给出的微分型单稳态触发器电路中，已知R=51 kΩ，C=0.01μF电源电压VDD =10 V，试求在触发信号作用下输出脉冲的宽度. [题6. 9 ]图P6. 9是用TTL门电路接成的微分型单稳态触发器。其中Rd阻值足够大，保证稳态时vA为高电平。R的阻值很小，保证稳态时v12为低电平。试分析该电路在给定触发信号v1作用下的工作过程，画出Va、vo1、v12和vo的电压波形。Cd的电容量很小，它与Rd组成微分电路。 [题6. 10]在图P6. 9的微分型单稳态触发器电路中，若G1和G2为74系列TTL门电路，它们的VOH=3.2V，VOL≈0，VTH=1.3V，R=0.3KΩ，C=0.01μF，试计算电路输出负脉冲的宽度。 [题6. 11 ]在图6.3.5的积分型单稳态触发器电路中，若G1和G2为74 LS系列门电路，它们的VOH = 3. 4 V ，VOL≈0，VTH=1.1V，R=1KΩ，C=0.01μF，求在触发信号作用下输出负脉冲的宽度。设触发脉冲的宽度大于输出脉冲的宽度。 [题6. 12】图P6. 12是用两个集成单稳态触发器74121所组成的脉冲变换电路，外接电阻和外接电容的参数如图中所示。试计算在输入触发信号v1作用下vo1、vo2输出脉冲的宽度，并画出与v1波形相对应的v01、v02所组成的电压波形。V1波形如图中所示. [ 题6. 13 ]在图6. 4. 1所示的对称式多谐振荡器电路中，若R11= R12=1 kΩ,C1=C2=0.1μF,G1和G2为74 LS04(六反相器)中的两个反相器，G1和G2的VOH = 3. 4 V , VTH = 1. 1 V , V1K=-1.5 V,R1=20 kΩ，求电路的振荡频率。 [题6.14 ]图P6. 14是用CMOS反相器组成的对称式多谐振荡器。若RF1=RF2=10 kΩ,C1=C2 =0. 01μF ,RP1=RP2 =33 kΩ，试求电路的振荡频率，并画出v11、vo1、v12、vo2各点的电压波形。 [题6. 15]在图6. 4. 6非对称式多谐振荡器电路中，若G1、G2为CMOS反相器，RF=9.1 kΩ，C=0. 001μF，RP=100 KΩ，VDD=5V，VTH=2.5V试计算电路的振荡频率。 [题6. 16 ]如果将图6. 4. 6非对称式多谐振荡器中的G1和G2改用TTL反相器，并将RP短路，试画出电容C充、放电时的等效电路，并求出计算电路振荡频率的公式。 [题6. 17」图P6.17是用反相器接成的环形振荡器电路。某同学在用示波器观察输出电压vo的波形时发现，取n=3和n二5所测得的脉冲频率乎相等，试分析其原因。 [题6.18)在图6.4. 12(b)的环形振荡器电路中，试说明: (1) R,C,Rs各起什么作用? (2)为降低电路的振荡频率可以调节哪些电路参数? 是加大还是减小? (3) R的最大值有无限制? [题6.19 ]在图6.4. 12(b)所示的环形振荡器电路中，若给定R=200Ω,Rs=100Ω,C=0.01μF, G1,G2和G3为74系列TTL门电路(VOH = 3 V , VOL≈0，VTH