碳化硼和氧化钨纳米线的制备及其结构和场发射性能研究的开题报告.docx

碳化硼和氧化钨纳米线的制备及其结构和场发射性能研究的开题报告 一、研究背景和意义 纳米技术是当今世界科技领域的前沿研究方向之一，其特殊性质已被广泛应用于电子学、生物医学、能源等领域。纳米线作为一种典型的纳米材料，由于其独特的电子输运特性、结构可控性和表面电化学反应等方面的优势，实现了对器件性能的巨大提升和新型器件的开发，已成为纳米材料和纳米器件领域的重要研究对象。 碳化硼和氧化钨作为新型耐高温、高硬度、高强度、抗氧化和化学稳定性的材料，被广泛应用于航空航天、电子元件、高温材料等领域。近年来，由碳化硼和氧化钨组成的纳米线因为它们的特殊性质，比如能耐受高电场、电子发射性良好、具有优异的强度和耐热性，逐渐成为新兴领域的方向研究对象。 因此，本研究拟对碳化硼和氧化钨纳米线的制备及其结构和场发射性能进行研究，旨在探究其应用于各种典型器件的潜力，以实现纳米技术的新兴应用。 二、研究内容和方法 1. 制备碳化硼和氧化钨纳米线的方法：采用化学气相沉积的方法在硅衬底上制备碳化硼和氧化钨纳米线，采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射仪等技术对其形貌和结构进行表征。 2. 研究碳化硼和氧化钨纳米线的场发射性能：采用场发射仪对制备的碳化硼和氧化钨纳米线的场发射性能进行测试和研究，探究其电子发射的特殊性质和发射机制。 3. 对碳化硼和氧化钨纳米线的应用进行探究：从典型器件的角度出发，通过制备相应的纳米器件，探究不同器件在场发射、隧穿透射电子显微镜、传感器等方面的应用潜力。 三、预期成果和意义 1. 成功制备碳化硼和氧化钨纳米线，并对其形貌、结构进行表征。 2. 研究了碳化硼和氧化钨纳米线的场发射性能，探究其电子发射的特殊性质和发射机制。 3. 通过制备相应的纳米器件，探究了碳化硼和氧化钨纳米线在场发射、隧穿透射电子显微镜、传感器等方面的应用潜力。 4. 该研究可为纳米材料、器件及其应用领域的相关研究提供重要基础和参考，并具有一定的理论和实践意义。