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Ka频段通讯固态功率合成放大器的研制的开题报告
一、研究背景
随着无线通信技术的不断发展,高频功放模块在无线通信系统中需求量不断增加,其中Ka频段通信更是如此。而电子器件特性研究的迅速发展,特别是CMOS工艺在高频、高功率领域内的不断拓展,为高功率固态功率合成放大器的研发提供了新的手段和经验。
二、研究目的
本研究旨在研制一种适用于Ka频段通信的固态功率合成放大器,以满足高频通信系统对功率放大模块的高要求。同时,通过采用CMOS工艺,提高功率合成放大器的能效比和可靠性,降低成本。
三、研究内容与方法
1.设计Ka频段通信的固态功率合成放大器的电路结构,并对其进行性能仿真分析和参数优化;
2.利用CMOS工艺制备高功率器件,优化器件结构和工艺参数,达到提高器件电特性、功率和可靠性的目的;
3.实现功率合成放大器的集成化设计,包括功率分配器、相位偏移器、电力放大器等,以实现功率倍增和频带调整的功能;
4.进行性能测试和可靠性测试,评估固态功率合成放大器的性能和可靠性,验证所设计的固态功率合成放大器在Ka频段通信中的应用价值。
四、研究意义
1.推进无线通信技术的发展,促进Ka频段通信技术的应用;
2.提高固态功率合成放大器的能效比和可靠性,降低成本;
3.提供可靠、高效的功率放大器模块。
五、预期成果
1.成功研制出适用于Ka频段通信的固态功率合成放大器;
2.实现性能卓越、能效高、可靠性强的功率合成放大器,具有广泛的应用前景。
六、进度安排
1.第一年:设计电路结构,仿真性能分析和参数优化;
2.第二年:利用CMOS工艺制备高功率器件,优化器件结构和工艺参数;
3.第三年:实现功率合成放大器的集成化设计,进行性能测试和可靠性测试。
七、参考文献
1.ZhangL,XuQ,WangL,etal.High-efficiencyandbroadbandpoweramplifierdesignusingstackedtransistorsforKa-bandsatellitecommunicationsystems[J].IEEETransactionsonMicrowaveTheoryandTechniques,2018,66(11):5066-5079.
2.ChenZ,SawaM,MatsuoS,etal.A39dBm30%PAE38-40GHzGaNHEMTpoweramplifier[C]//IEEECompoundSemiconductorIntegratedCircuitSymposium.IEEE,2018:1-4.
3.LemkeT,DelormeM,MeinholdP,etal.A3.5W,38GHzpoweramplifierbasedon0.25μmGaNHEMTtechnology[C]//IEEERadioFrequencyIntegratedCircuitsSymposium.IEEE,2014:5-8.