文档详情

安森美半导砾单IGBT 栅极驱动器.PDF

发布：2017-08-01约4.82万字共13页下载文档

文本预览下载声明

• • • • • • •

显示全部

相似文档

IGBT栅极升压及其驱动器的设计.docx PAGE 1- IGBT栅极升压及其驱动器的设计一、IGBT栅极升压原理及重要性 (1)IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为电力电子设备中常用的功率开关器件，其栅极驱动电路的设计对于器件的开关性能和整个系统的稳定性至关重要。IGBT的栅极驱动电路需要提供足够的电压和电流来确保器件能够快速、准确地完成开关动作。栅极升压技术是实现这一目标的关键。栅极升压原理主要是通过在栅极和发射极之间引入一个电感，利用电感储能和放电的特性，在短时间内提供比电源电压更高的电压，从而实现栅极的快速充电。以SiC（碳化硅）IGBT为例，其栅极电压通常需要达到15V以上，而栅极升压电路能够提供超过这个电压的脉冲，确保Si
2025-03-22 约2.13千字 4页立即下载
安森美半导砾高速双端PWM 控制器.PDF
2017-08-04 约6万字 20页立即下载
IGBT的栅极驱动电路.ppt 3.2IGBT的栅极驱动电路 3.2.1 对IGBT栅极驱动电路的要求 IGBT的栅极驱动条件密切地关系到它的静态和动态特性。栅极电路的正偏压VGE、负偏压-VGE和栅极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dV/dt电流等参数有不同程度的影响。栅极驱动条件与器件特性的关系栅极正电压VGE的变化对IGBT的开通特性，负载短路能力和dVCE/dt电流有较大影响。栅极负偏压则对关断特性的影响比较大。 1. ?IGBT对栅极驱动电路的特殊要求由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能不好常常导致器件损坏，
2017-06-20 约4.59千字 33页立即下载
IGBT驱动器隔离技术分析.PDF 中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会 IGBT 驱动器的隔离技术分析张黎1 尹向阳2 1) 重庆通信学院电力工程系，重庆 400035 2) 广州金升阳科技有限公司，广州 510660 1) Email ：zlier 1026@163.com 2) Email ：george@ 摘要详细说明了IGBT 驱动器中常用隔离技术的基本原理与特点，通过比较得
2019-02-14 约7.87千字 3页立即下载
IGBT驱动器应用手册.PDF GD001-* IGBT驱动器 应用手册谏早电子株式会社 1 关于安全设计的注意事项本公司努力提高产品的质量及可靠性，但半导体产品仍然可能发生故障、误动作。为了防止因本公司半导体产品的故障或误动作而导致人身事故、火灾事故、社会危害等，请充分注意考虑到安全性的冗余设计、火
2017-06-10 约2.74万字 16页立即下载
安森美半导体及其子公司未经审核综合经营报表.PDF 安森美半导体及其子公司未经审核综合经营报表（除每股数据外，以百万为单位）截至以下日期止季度
2017-05-26 约8.59千字 3页立即下载
安森美半导体汽车照明解决方案.pdf ???????????? 在线座谈 ????????????????是中电网于????年推出的创新服务。通过 “视? 频演示 ?专家解说 ?在线问答”三位一体相结合的形式，充分发挥网络平台的便? 捷性，实现了先进半导体技术提供商与系统设计工程师的实时互动交流，
2017-05-04 约2.2万字 5页立即下载
集成化IGBT专用驱动器EXB841.PDF 关于IGBT的讨论 l IGBT 的基本结构 l l IGBT 的工作原理和工作特性 a i
2018-03-28 约5.99万字 17页立即下载
2025-2030中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业市场发展趋势与前景展望战略分析研究报告.docx 2025-2030中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业市场发展趋势与前景展望战略分析研究报告目录 TOC\o1-3\h\z\u2025-2030中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业预估数据 3 一、中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业市场现状 3 1、行业背景与发展历程 3 和IGBT栅极驱动器技术概述 3 国内MOSFET和IGBT栅极驱动器行业发展历程 5 行业发展的主要驱动因素 7 2、市场规模与增长 8 近五年市场规模及增长率 8 不同地区市场规模对比 10 不同产品类型的市场规模 12 3、市场需
2025-03-20 约4.77万字 57页立即下载
2025-2030中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业市场发展趋势与前景展望战略研究报告.docx 2025-2030中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业市场发展趋势与前景展望战略研究报告目录 TOC\o1-3\h\z\u2025-2030中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业预估数据 3 一、中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业现状与市场趋势 3 1、行业定义与市场规模 3 和IGBT栅极驱动器的基本定义与分类 3 年市场规模及增长数据 5 2、市场竞争格局与主要企业 7 国内外企业市场份额及排名 7 重点企业经营概况及市场策略 9 2025-2030中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业预估数据表 12 二、技术与创新发展趋势 13 1、技术进步与国产化率 13 中低压平面
2025-03-17 约3.16万字 39页立即下载
2024-2030年中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业市场发展趋势与前景展望战略分析报告.docx 2024-2030年中国MOSFET和IGBT栅极驱动器行业市场发展趋势与前景展望战略分析报告 TOC\o1-3\h\z\u摘要 2 第一章行业概述 2 一、MOSFET与IGBT栅极驱动器简介 2 二、市场需求及增长趋势 3 三、行业政策环境分析 4 第二章市场现状与竞争格局 5 一、国内外市场规模及增长情况 5 二、主要厂商及产品分析 5 三、竞争格局与市场份额分布 6 第三章技术进展与创新 7 一、MOSFET与IGBT栅极驱动器技术现状 7 二、新型材料与技术应用趋势 8 三、
2024-09-22 约2.57万字 23页立即下载
栅极驱动器以及SiC MOSFET栅极驱动.doc 栅极驱动器以及SiCMOSFET栅极驱动碳化硅（SiC）MOSFET的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅（Si）MOSFET和IGBT更为出色，但驱动方式却不尽相同，必须要在设计过程中进行缜密的思考。以下是一些SiC栅极驱动器的一些示例要求：驱动供电电压包含开通的正压和关断的负压共模瞬态抗扰度（CMTI）大于100kV/µs 最大工作绝缘电压可达1700V 驱动能力可达10A 传输延迟时间和频道不匹配时间小于10ns 主动米勒钳位快速短路保护（SCP）（小于1.8µs） **#1** 对于SiCMOSFET
2024-01-08 约3.97千字 10页立即下载
【2018年最新整理】IGBT栅极驱动电路.ppt 3.2IGBT的栅极驱动电路 3.2.1 对IGBT栅极驱动电路的要求 IGBT的栅极驱动条件密切地关系到它的静态和动态特性。栅极电路的正偏压VGE、负偏压-VGE和栅极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dV/dt电流等参数有不同程度的影响。栅极驱动条件与器件特性的关系栅极正电压VGE的变化对IGBT的开通特性，负载短路能力和dVCE/dt电流有较大影响。栅极负偏压则对关断特性的影响比较大。 1. ?IGBT对栅极驱动电路的特殊要求由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能不好常常导致器件损坏，
2018-02-18 约4.59千字 33页立即下载
IGBT专用驱动器M57962L.doc IGBT专用驱动器M57962L M57962L是日本三菱公司生产的专用驱动IGBT模块的驱动器，其内部结构方框图如图1所示。它由光耦合器、接口电路、检测电路、定时复位电路以及门关断电路组成。 M57962L主要有以下特点：(1)具有较高的输入输出隔离度(Viso=2500Vrms)；(2)采用双电源供电方式，以确保IGBT可靠通断；(3)内有短路保护电路；(4)输入端为TTL门电平，适于单片机控制。引脚排列及主要性能参数:M57962L驱动器的印刷电路及外壳用坏氧树脂封装，共有14根引脚，其中②、③、④、⑦、⑨、⑩、、脚为空脚，其外型与引脚排列如图2所示。 M57962L的主要参数列于附表
2017-06-14 约1千字 3页立即下载
具有集成米勒钳位器的栅极驱动器.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112838746 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011342552.2 H02M 1/084 (2006.01)
2023-06-02 约1.94万字 17页立即下载