等离子蚀刻机使用说明书.doc

设 备 使 用 说 明 书 设备名称：等离子蚀刻设备 设备型号: KWT-200-1000FSK 北京中联科利技术股份有限公司 Beijing China United Cleaning Technology Co.,Ltd. 地址：北京市朝阳区北苑路40# 邮编：100012 电话：010传真：010目 录 一、概述…………………………………………………………………………… 二、主要技术指标………………………………………………………………… 三、工作原理及结构特征………………………………………………………… 四、工艺特性及控制要点………………………………………………………… 五、使用说明…………………………………………………………………… （一）、塾悉本机资料 …………………………………………………………… （二）、开机前的准备 …………………………………………………………… 六、操作说明 …………………………………………………………………… 七、使用注意事项………………………………………………………………… 八、简单故障与排除……………………………………………………………… 九、设备机械主要图纸…………………………………………………………… 十、设备电控原理图 …………………………………………………………… 一 、 概 述 1.1产品特点 KWT-200-1000FSK型等离子体刻蚀机具有占地面积小、装片容量大、生产率高等优点。同时，还具有手动/自动功能。除装卸片要人工操作外，其余过程实现了全自动，保证了工艺的准确性和重复性，大大地提高了产品质量。 1.2设计目标、设计原理 该设备主要用于太阳能电池周边掺杂硅的刻蚀，也可用于半导体工艺中多晶硅、氮化硅的刻蚀和去胶。 原理：等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。（这是各向同性反应） 在辉光放电条件下， CF4→C4++4F- O2→2O2- F+Si→SiF4 SiF4挥发性高，随即被抽走。 刻蚀过程的主要反应 放电过程 e-+CF4→CF3++F+2e e-+CF4→CF3+F+e- e-+CF3→CF2+F+e- O2+e-→2O+e- 腐蚀过程 Si+4F→SiF4↑ 3Si+4CF3→4C+3SiF4↑ 2C+3O→CO↑+CO2↑ 二、 主要技术指标 我公司研制的等离子体刻蚀机规格： CUCKWD-SK-200 CUCKWD 中联科伟达高新转换产品 SK 等离子体蚀刻机 200 基片最大直径200㎜ 2．1 刻蚀介质： 5〞、6〞 掺杂硅/氮化硅 2．2 刻蚀部位： 硅片方片周边 2．3 产能 最大装片量： 400片/批 刻蚀速率： Si3N4 50nm/min 掺杂硅 200nm/min 批处理时间：20~30min；真空系统标准配置3路工艺气体通路； 2X-15机械泵，工作压力自动控制； mbar； 工艺压强：0.5~2mbar； 设备可靠性：设备平均维修间隔时间MTBF≥500； 设备平均维修时间MTTR≤4。 3．2设备系统图 反应室采用立式结构，射频功率通过电感耦合到反应室内，同时基片采用旋转方式 真空系统采用旋片式机械泵，具有主抽和预抽两路抽气管路，既保证本底抽空的时间，又使气氛扰动减小，减少粉尘扬起，保证基片清洁 装片运行开预抽—主抽—送气—辉光—抽空—清洗—充气运行关取片 4.2工艺说明 预抽：主要通过预抽电磁阀，将反应室的空气抽走，压力保持在0.01MPa以下； 主抽：主要通过主抽电磁阀和电子执行器（微调气压装置），将反应室的气压保持在