高聚光型太阳能电池之锗磊晶片制作技术研发.PDF

行 磊 類 行 年年 行 立 料 李 參理 理林 理 理 理 利 年 年 附件一 ■ 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 高聚光型太陽能電池之鍺磊晶片製作技術研發 Fabrication and study of Ge epitaxial substrates for HCPV solar cells 計畫類別：■ 個別型計畫 □ 整合型計畫 計畫編號： NSC98-2623-E-008-007-NU 執行期間： 98年 1月 1日至 98年 12月 31日 計畫主持人：李勝偉 計畫參與人員： 博士班研究生-兼任助理：張宏臺 碩士班研究生-兼任助理：林依頻 碩士班研究生-兼任助理：王秋眉 碩士班研究生-兼任助理：蔡睿翰 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交)：□精簡報告 ■完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權，□一年■二年後可公開查詢 執行單位：國立中央大學 材料科學與工程研究所 中 華 民 國 99年 3月 31日 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 高聚光型太陽能電池之鍺磊晶片製作技術研發 Fabrication and study of Ge epitaxial substrates for HCPV solar cells 計畫編號： NSC98-2623-E-008-007-NU 執行期限：98年 1月 1日至 98年 12月 31日 主持人：李勝偉（swlee@ncu.edu.tw） 執行機構：國立中央大學 材 料科學與工程研究所 一、中文摘要 samples with and without a B-doped Si buffer layer were determined to be 79% 本計畫利用硼摻雜於矽緩衝層誘 and 53%, respectively. The increased 發氫佈植矽鍺 矽異質結構應變釋放以/ relaxation can be attributed to the 製作高品質應變釋放之矽鍺磊晶片。具 formation of the larger H-fill