文档详情

托卡马克加热(NBI).doc

发布:2019-01-18约1.19万字共29页下载文档
文本预览下载声明
5.3中性束注入(NBI,Neutral Beam Input)加热 ?为什么不直接利用高能离子束? 磁场可以约束离子,使之不能逃出托卡马克,同理外部高能离子束也被磁场约束,不易于进入托卡马克内部。 所以,需要在离子进入托卡马克前,将离子束中性化――中性束。 ?产生中性束的工作原理图(JET,正离子源) 偏 偏转低能离子(离子吞食器物) 抽走低能中性粒子 粒子 电荷交换 A+(高能)+B? A(高能)+B+ ?产生中性束系统示意图、实物照片(JET) 中性束系统示意图 中性束系统示意图 实物照片 实物照片 托 卡 马 克 一侧 ―――――――――――――――――――――――――――― (下图:用于JET的正离子源,采用热阴极+磁约束) ―――――――――――――――――――――――――――― (下图:用于ASDEX-U的正离子源的内部结构,采用RF感性耦合,图中澡盆状部件为法拉第屏蔽,铁箍状部件为射频线圈) ―――――――――――――――――――――――――――― ?中性束加热中的一些问题 中性束原子的选用 在开始放电的初始建立阶段,等离子体温度不高,不能产生核反应,可以用H原子中性束加热。 在点火、燃烧阶段,可以采用D中性束。 中性束注入位置、方向 中性束注入位置: 在托卡马克的赤道面注入,通过最长,密度最大的区域。 注入方向:平行于环向,垂直于环向。 ?垂直注入 优点:窗口设计简单; 缺点:加热后离子的垂直磁场能量大,容易进 入香蕉(俘获)轨道。 在纹波度大的环向磁场中,俘获快离子引起纹波扩散,碰撞溅射托卡马克壁,造成杂质污染。 ?平行注入: 缺点:窗口设计较复杂占用空间大; 优点:电离距离长,产生穿行离子。 注入方向可以平行、反平行托卡马克电流方向。 NB具有动量,单向平行注入会产生等离子体沿大环方向旋转,可以采用对称双向注入。 实验发现等离子体环向旋转可以触发L-H约束模式转变(有益!),所以一般采用单向平行注入。 中性束与托卡马克plasma的作用过程:电离、高能离子慢化 中性束的电离有几个过程:与电子、离子碰撞电离,电荷交换。 在低能区: 电荷交换占主导(A+(高能)+B? A(高能)+B+),中性粒子能量转化为带电粒子能量; 在高能区: 高能中性原子与电子的碰撞电离(在高能区主要为多级电离)占主导。 当中性粒子被电离后,高能离子被约束在香蕉、通行轨道上。 如果高能离子的约束时间长,将通过与其他粒子碰撞传递能量,自身速度降低(碰撞慢化,slow down)。 托卡马克的芯部加热 中性加热要求其能量沉积在托卡马克芯部,对于大托卡马克(如ITER),要求中性束到达芯部,需要提高中性束能量??相应要求提高离子源D离子能量,在ITER上,要求离子能量达到0.25-0.5Mev。 增加D离子能量出现的问题 在需要高于0.1Mev的中性束(相应地,离子能量需要高于0.1Mev)时,如果仍然采用正离子中性化方法,中性化效率下降(参见下图)。 ―――――――――――――――――――――――――― (上图:离子中性化率随离子能量(Kev)的变化) 说明1:正离子源中有多种离子成分,原子离子、分子离子 说明2:正离子的中性化率不是100%,而且中性化率不随中性化室长度增加而单调提高,有最佳长度,和最大中性化率。 ――――――――――――――――――――――――――――― 解决方法: 采用负离子+中性化方法。 ?负离子的产生方法/途径(两种,结合下面两图说明): 【负离子有两种产生方式】: (1)在体相产生负离子:在相对高的高能电子作用下,产生高振动能态的分子,高振动能态的分子在分解时俘获低能电子(dissociative attachment)。 该方式的产生效率高。 体相产生负离子的要求: 需要磁场隔离or磁过滤(magnetic filter)高能电子、低能电子区(参考上图中结构,下图中的结果。) (上图:负离子源中电子温度的轴向分布) (2)在表面产生负离子:原子从涂敷铯壁上碰撞弹开时,产生负离子。为了获得高速率负离子产率,需要提高原子密度、能量,负离子的原始能量较高。 ?负离子源的重点问题: ――负离子的高效率产生; ――负离子的加速(电子需要控制,采用横向磁场阻挡电子,仅引出负离子)。 ?负离子中性化方法: 不同于正离子电荷交换方法; 具体方法为: 负离子和热分子气体作用,将负离子的电子剥离,剥离效率高达60%。 采用高电离率的plasma替代热分子气体,效率可以进一步提高到80%。 ITER上的基于负离子源的中性束指标 D0 , 1 MeV, a current of 40A, 50MW, three units.
显示全部
相似文档