托卡马克加热(NBI).doc
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5.3中性束注入(NBI,Neutral Beam Input)加热
?为什么不直接利用高能离子束?
磁场可以约束离子,使之不能逃出托卡马克,同理外部高能离子束也被磁场约束,不易于进入托卡马克内部。
所以,需要在离子进入托卡马克前,将离子束中性化――中性束。
?产生中性束的工作原理图(JET,正离子源)
偏
偏转低能离子(离子吞食器物)
抽走低能中性粒子
粒子
电荷交换
A+(高能)+B? A(高能)+B+
?产生中性束系统示意图、实物照片(JET)
中性束系统示意图
中性束系统示意图
实物照片
实物照片
托
卡
马
克
一侧
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(下图:用于JET的正离子源,采用热阴极+磁约束)
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(下图:用于ASDEX-U的正离子源的内部结构,采用RF感性耦合,图中澡盆状部件为法拉第屏蔽,铁箍状部件为射频线圈)
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?中性束加热中的一些问题
中性束原子的选用
在开始放电的初始建立阶段,等离子体温度不高,不能产生核反应,可以用H原子中性束加热。
在点火、燃烧阶段,可以采用D中性束。
中性束注入位置、方向
中性束注入位置:
在托卡马克的赤道面注入,通过最长,密度最大的区域。
注入方向:平行于环向,垂直于环向。
?垂直注入
优点:窗口设计简单;
缺点:加热后离子的垂直磁场能量大,容易进 入香蕉(俘获)轨道。
在纹波度大的环向磁场中,俘获快离子引起纹波扩散,碰撞溅射托卡马克壁,造成杂质污染。
?平行注入:
缺点:窗口设计较复杂占用空间大;
优点:电离距离长,产生穿行离子。
注入方向可以平行、反平行托卡马克电流方向。
NB具有动量,单向平行注入会产生等离子体沿大环方向旋转,可以采用对称双向注入。
实验发现等离子体环向旋转可以触发L-H约束模式转变(有益!),所以一般采用单向平行注入。
中性束与托卡马克plasma的作用过程:电离、高能离子慢化
中性束的电离有几个过程:与电子、离子碰撞电离,电荷交换。
在低能区:
电荷交换占主导(A+(高能)+B? A(高能)+B+),中性粒子能量转化为带电粒子能量;
在高能区:
高能中性原子与电子的碰撞电离(在高能区主要为多级电离)占主导。
当中性粒子被电离后,高能离子被约束在香蕉、通行轨道上。
如果高能离子的约束时间长,将通过与其他粒子碰撞传递能量,自身速度降低(碰撞慢化,slow down)。
托卡马克的芯部加热
中性加热要求其能量沉积在托卡马克芯部,对于大托卡马克(如ITER),要求中性束到达芯部,需要提高中性束能量??相应要求提高离子源D离子能量,在ITER上,要求离子能量达到0.25-0.5Mev。
增加D离子能量出现的问题
在需要高于0.1Mev的中性束(相应地,离子能量需要高于0.1Mev)时,如果仍然采用正离子中性化方法,中性化效率下降(参见下图)。
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(上图:离子中性化率随离子能量(Kev)的变化)
说明1:正离子源中有多种离子成分,原子离子、分子离子
说明2:正离子的中性化率不是100%,而且中性化率不随中性化室长度增加而单调提高,有最佳长度,和最大中性化率。
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解决方法:
采用负离子+中性化方法。
?负离子的产生方法/途径(两种,结合下面两图说明):
【负离子有两种产生方式】:
(1)在体相产生负离子:在相对高的高能电子作用下,产生高振动能态的分子,高振动能态的分子在分解时俘获低能电子(dissociative attachment)。
该方式的产生效率高。
体相产生负离子的要求: 需要磁场隔离or磁过滤(magnetic filter)高能电子、低能电子区(参考上图中结构,下图中的结果。)
(上图:负离子源中电子温度的轴向分布)
(2)在表面产生负离子:原子从涂敷铯壁上碰撞弹开时,产生负离子。为了获得高速率负离子产率,需要提高原子密度、能量,负离子的原始能量较高。
?负离子源的重点问题:
――负离子的高效率产生;
――负离子的加速(电子需要控制,采用横向磁场阻挡电子,仅引出负离子)。
?负离子中性化方法:
不同于正离子电荷交换方法;
具体方法为:
负离子和热分子气体作用,将负离子的电子剥离,剥离效率高达60%。
采用高电离率的plasma替代热分子气体,效率可以进一步提高到80%。
ITER上的基于负离子源的中性束指标
D0 , 1 MeV, a current of 40A, 50MW, three units.
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