新型半导体氮化铟薄膜的光学性质.pdf

半导体的光学性质.pdf 半导体的光学性质 如果用适当波长的光照射半导体，那么电子在吸收了光子后将由价带跃迁到导带，而在价带上留下一个空穴，这种现象称为光吸收。 半导体材料吸收光子能量转换成电能是光电器件的工作基础。光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： I I 1 r e x x

2021-08-18 约6.69千字 6页立即下载

介质薄膜的性质,半导体薄膜的性质详解.pptx 9.3 介质薄膜的电学性质 9.4 半导体薄膜的性质 9.5 薄膜的其他性质 2015.05.26 9-3 介质薄膜的电学性质一、绝缘性质二、介电性质三、压电性质四、热释电性质五、铁电性质介质薄膜电学性质一、介质薄膜的绝缘性质介质薄膜绝缘性能的研究主要是为了制作薄膜电子元器件中的绝缘层。对绝缘性能的研究主要是电导和击穿特性介质薄膜的电导在测量介质薄膜的电导时，需在介质膜的两面制作电极，形成金属一介质一金属(MIM)结构，只有在电极与介质的接触是欧姆接触时，测出的电导

2016-08-10 约字 40页立即下载

半导体材料的光学性质.ppt 现代半导体物理第七章 半导体材料的光学性质 7.1 半导体的光学常数 7.2 反射率和折射率 7.3 半导体中的光吸收 7.1 半导体的光学常数设半导体材料的折射率为n0，消光系数为k，相对磁导率为ur，相对介电常数为 ,电导率为。由于对于光学中所讨论的大多数固体材料ur=1,因此磁导率u=u0。复折射率n=n0-ik。光作为一种电磁辐射，当其在不带电的，电导率不等于0的各向同性导电媒质中沿着x方向传播时: 光的传播速度决定于复折射率的实部，为c/n0,其振幅在传播过程中按exp(-wkx/c)的形式衰减，光的强度I则按exp(-2wkx/c)衰减，

2018-01-23 约1.78千字 20页立即下载

氮化铝半导体简介.ppt 关于氮化铝半导体简介1.前言半导体材料的发展：1.第一代半导体：以Si，Ge半导体材料为代表；2.第二代半导体：以GaAs，InP半导体材料为代表；3.第三代半导体：以碳化硅（SiC），氮化镓（GaN），氧化锌（ZnO），金刚石和氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度宽，击穿电场高，热导率高，电子饱和速率高以及抗辐射能力高等优点。从第三代半导体材料和器件研究发展现状来看，较为成熟的是SiC和GaN半导体材料，其中SiC技术最为成熟，而ZnO、金刚石和AlN等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。第2页,共13页，星期六，2024年，5月2.AlN半导体的结构与性质氮化铝（AlN）

2024-12-07 约3.08千字 13页立即下载

氮化铝半导体简介.ppt 关于氮化铝半导体简介第1页，共13页，星期日，2025年，2月5日1.前言半导体材料的发展：1.第一代半导体：以Si，Ge半导体材料为代表；2.第二代半导体：以GaAs，InP半导体材料为代表；3.第三代半导体：以碳化硅（SiC），氮化镓（GaN），氧化锌（ZnO），金刚石和氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度宽，击穿电场高，热导率高，电子饱和速率高以及抗辐射能力高等优点。从第三代半导体材料和器件研究发展现状来看，较为成熟的是SiC和GaN半导体材料，其中SiC技术最为成熟，而ZnO、金刚石和AlN等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。第2页，共13页，星期日，2025年，2

2025-03-07 约2.59千字 13页立即下载

氮化镓半导体材料　.doc word文档可自由复制编辑氮化镓半导体研究　　　一．物理背景　　　自20世纪60年代，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发展非常迅速，它具有体积小、耐冲击、寿命长、可靠度高与低电压低电流操作等优良的特性，适用于在各种环境的使用，而且符合未来环保节能的社会发展趋势。初期的以砷化镓(GaAs)、铝铟磷镓(AIGalnP)材料为基础之发光二极管，实现了红光至黄绿光波段的电激发光。　　近年来，以氮化镓(GaN)为代表的新一代半导体材料技术上　　　氮化镓半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等独特的特

2018-12-24 约5.39千字 6页立即下载

半导体氮化钝化.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113013166 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202011259486.2 (51)Int.Cl.

2023-06-07 约2.15万字 19页立即下载

半导体物理第10章半导体的光学性质ppt课件.pptx 半导体的光学性质本课程深入探讨半导体物理第10章内容，聚焦半导体材料与光相互作用的基本原理。我们将分析光电子学基础理论，揭示现代半导体技术的核心光学机制。作者：导论：光与半导体的相互作用光学性质基本原理半导体与光子相互作用形成独特光学行为。电子能带结构影响能带结构决定光吸收和发射特性。研究意义光学性质研究推动光电子器件发展。 半导体光学基础概念123光子-电子相互作用光子能量转化为电子跃迁的基本机制。决定因素能带结构和缺陷状态影响光学响应。微观物理基础量子力学描述电子与光子相互作用。 半导体光学吸收基本原理直接带隙半导体电子可直接吸收光子能量跃迁。无需声子参与，吸收系数较大。间接带隙半导体电

2025-04-09 约2.84千字 35页立即下载

2025-03-27 约1.86万字 31页立即下载

2023-08-13 约小于1千字 2页立即下载

Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质研究的开题报告.docx Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质研究的开题报告题目：Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质研究一、选题背景及研究意义 Ⅳ-Ⅵ族半导体材料在光电器件、电子器件、纳米器件等领域中具有重要的应用价值。而低维结构的Ⅳ-Ⅵ族半导体材料，具有独特的光学、电学、热学等性质，被广泛应用于激光器、太阳能电池、光电探测器等领域。因此，研究Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质具有重要的科学意义和应用价值。二、研究内容和方法 1.研究Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的光学性质，包括线性光学性质和非线性光学性质。 2.制备Ⅳ-Ⅵ族半导体低维结构的样品，包括量子点、纳米线、薄膜等结构。 3.采用多种手段对样品进行表征，包括XRD、TE

2024-04-02 约1.5千字 3页立即下载

第十讲节-半导体光学资料性质和光电.pdf 半导体光电 • 半导体的光电性质是半导体材料最重要性质之一。 • 半导体的光电效应是各种光电器件的基础。 • 光学方法是研究半导体的能带结构和检测材料参数的一种重要手段。 • 本章：讨论半导体的光吸收、光生伏特效应等 半导体材料基本的光电性质和应用。 半导体的光学常数 • 设均匀不带电的介质的复折射率为n n0 −iκ ，磁导率µ=µ0

2018-08-09 约2.23万字 92页立即下载

Ⅲ族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究的开题报告.docx Ⅲ族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究的开题报告 1.研究背景和意义氮族元素包括氮、磷、砷、锑和铋，它们的氮化物半导体在电子学和光电子学领域中具有重要的应用。氮化镓（GaN）和氮化铝镓（AlGaN）等III族氮化物半导体材料具有优异的电学性能和光学性能，广泛应用于LED、LD、HBT、MOSFET、HEMT等领域。其高功率、高集成度、高可靠性、短波长和高温工作等优势，使得III族氮化物半导体材料在现代光电子学领域具有广泛的应用前景。然而，III族元素与氮元素之间的化学键能较大，导致其外延生长需要相对较高的温度和压力，以获得高质量的薄膜。同时，氮化物半导体的外延生长受到金属元素的掺杂和控

2024-04-05 约1.49千字 3页立即下载

稀土掺杂宽带隙氮化物半导体薄膜的制备与性能研究的开题报告.docx 稀土掺杂宽带隙氮化物半导体薄膜的制备与性能研究的开题报告标题：稀土掺杂宽带隙氮化物半导体薄膜的制备与性能研究一、研究背景氮化物半导体薄膜是一种新兴的宽带隙半导体材料，具有广泛的应用前景，如在光电子器件、高功率电子器件和蓝色LED等方面有很大的潜力。而稀土元素的掺杂可以改变半导体材料的光学和电学性质，提高薄膜的性能，因此在半导体材料研究中引起了广泛关注。二、研究目的本研究旨在制备稀土掺杂宽带隙氮化物半导体薄膜，并探究不同稀土元素掺杂对薄膜的光学和电学性质的影响，为氮化物半导体材料的应用提供基础理论和实验支持。三、研究内容 1.氮化物半导体薄膜生长技术的研究； 2.不同稀土元素掺杂的氮

2023-12-11 约小于1千字 2页立即下载

半导体光学元件.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112821189 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011169596.X (22)申请日 2020.10.28 (30)优先权数据

2023-06-03 约1.49万字 14页立即下载