InGaN太阳能电池的制备及特性研究的中期报告.docx

InGaN太阳能电池的制备及特性研究的中期报告 本次中期报告主要介绍了InGaN太阳能电池的制备及其特性研究进展，具体内容如下： 一、制备方案的确定 以磷化铟(InP)作为衬底，在其表面一步法生长InGaN薄膜，采用MOCVD(金属有机化学气相沉积)方法生长。InGaN薄膜生长后通过等离子体剥离法脱离，然后进行干刻和湿刻工艺得到InGaN太阳能电池器件。 二、特性测试及分析 通过IV测试和光电子学测试，对InGaN太阳能电池的特性进行了评估和分析。 1. IV测试 结果表明，InGaN太阳能电池器件的开路电压约为0.7 V，短路电流密度约为0.2 mA/cm2，填充因子约为0.5，转换效率达到约0.07%。与其他太阳能电池相比，其暗电流密度较低，说明InGaN太阳能电池具有较高的阻挡倍增系数。 2. 光电子学测试 结果显示，在405 nm波长的激光照射下，InGaN太阳能电池的短路电流随着光照强度的增加而增加，但开路电压略有下降。这表明InGaN太阳能电池具有良好的光响应能力，但其光生载流子的寿命需要进一步提高。 三、问题及展望 目前，InGaN太阳能电池的转换效率还比较低，需要通过优化生长条件、提高晶格匹配和控制杂质浓度等方法进一步提高器件性能。同时，光生载流子寿命也需要进行研究和探究。预计未来还将通过多层结构和混合材料的设计来提高InGaN太阳能电池的性能。