蓝宝石基片的处理方法对ZnO薄膜生长行为的影响!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 5’ % %$$4 % ， ， ， ST0 ,5’ RT ,% UEVWC:W= %$$4 （ ） $$$.(%3$K%$$4K5’ $% K ((.$4 /LM/ 9NOPQL/ PQRQL/ #%$$4 L?;* , 9?=X , PTF , 蓝宝石基片的处理方法对!# 薄膜生长 行为的影响! 刘 明 刘志文 谷建峰 秦福文 马春雨 张庆瑜! （大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 #$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$’ ( %$$’ # ( 采用反应射频磁控溅射方法，在经过不同方法处理的蓝宝石基片上，在同一条件下沉积了 薄膜 利用原子 )*+ , 力显微镜、射线衍射、反射式高能电子衍射等分析技术，对基片和薄膜的结构、表面形貌进行了系统表征 研究结 - , 果显示，不同退火条件下的蓝宝石基片表面结构之间没有本质的差异，均为 （ ）晶面，但基片表面形貌的 ./0 + $$ ! % ( 变化较大 在不同方法处理的蓝宝石基片上生长的 薄膜均具有高 轴取向的织构特征，但薄膜的表面形貌差 , )*+ ! 异较大 基片经真空退火处理后， 薄膜的生长形貌与基片未处理时十分类似，具有 取向和 取向两种外 , )*+ 1 ! 2 ! 延岛特征；基片经氮气环境退火后， 薄膜的生长形貌具有单一的 取向外延岛特征，晶粒尺寸较大，但薄膜表 )*+ 2 ! 面粗糙度没有明显改善；基片经氧气环境退火后， 薄膜的生长形貌仍为 取向外延岛特征，薄膜表面粗糙度 )*+ 2 ! 显著降低, 对于未处理、真空退火、氮气退火和氧气退火等方法处理的蓝宝石基片)*+ 薄膜表面形貌的自仿射关联 长度分别为 ， ， 和 #3 4$ 44% 5$$ *6 , 关键词： 薄膜，反应磁控溅射，基片处理，形貌分析 )*+ ： ， ， ， $% ’%4$7 #455 #4$8 ##9