非甚高电阻的基本测量方法.PDF

两引线测电阻 V R I 忽略了两个因素： 引线电阻 接触电阻 •附加的电阻 •非本征I-V 特性 •非本征温度关系 接触电阻的两个来源： 势垒层 接触面收缩 金属－金属接触电阻 金属表面氧化速度 单位 （原子层） 室温 空气环境 金属－金属接触电阻的大小 设氧化层厚度 4nm 电极面积 100X100nm2 接触电阻 ～100 k 金属－半导体接触电阻 Pb-pSi势垒I-V 特性 金属－半导体势垒高度 C.Nuhoglu et al, Appl.Surf.Sci.,250,203(2005) Au(Ti)-SCNT contact dI (V ,T )  eV T F( ) dV k T B Th.Hunger et al, Phys. Rev.B69, 195406(2004) 接触势垒的贡献 （？） Kelvin 四引线法测量电阻 R R in subject 伪四引线法 四引线电阻测量实际上是个比较器 V R sub . R subject st . V st . 测量精度取决于： 比较电阻的稳定性和噪声(0.5-2 ppm/C) 基准电压的稳定性和噪声 (~5 ppm/C,10-20 nV/ √Hz) 电流的稳定性和噪声 电压表的灵敏度、分辨率、线性 度、稳定性、和噪声 Wheatstone 电桥 （Samuel Hunter Christie