大气压非平衡等离子体沉积类二氧化硅薄膜研究的开题报告.docx

大气压非平衡等离子体沉积类二氧化硅薄膜研究的开题报告

一、研究背景和意义：

二氧化硅薄膜作为一种重要的薄膜材料，在微电子学、传感器、太阳能电池等领域具有广泛的应用。目前，主要的制备方法包括溅射法、PECVD法、热氧化法等，但这些方法存在着某些限制，例如，需要高真空或高温环境，或者需要复杂的设备和技术。因此，探索一种简单、经济、有效的制备二氧化硅薄膜的方法变得尤为重要。

大气压非平衡等离子体沉积技术（AP-ICP方法）是一种新兴的制备薄膜技术，可以在大气压下进行，同时具有较高的薄膜沉积速率和较好的沉积质量。因此，将该技术应用于二氧化硅薄膜的制备，具有重要意义。

二、研究目的：

本文旨在探究大气压非平衡等离子体沉积法制备二氧化硅薄膜的工艺条件和薄膜性质，并对其在微电子学、传感器等领域的应用进行研究。

三、研究内容：

1.大气压非平衡等离子体沉积二氧化硅薄膜的工艺条件的研究；

2.对沉积二氧化硅薄膜时的等离子体特性进行研究；

3.对AP-ICP法沉积的二氧化硅薄膜进行表征，包括薄膜结构、形貌、光学性质等方面的研究；

4.探索AP-ICP法沉积的二氧化硅薄膜在微电子学、传感器等领域的应用。

四、研究方法：

本文将采用大气压非平衡等离子体沉积技术制备二氧化硅薄膜，并对其进行表征。具体实验步骤包括：在大气压下进行等离子体放电；利用石英晶体微天平或者悬臂梁等量测薄膜沉积速率；采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜、傅里叶变换红外光谱、紫外-可见光谱等手段对沉积的薄膜进行表征。

五、研究意义：

本文的研究成果有助于推进大气压非平衡等离子体沉积技术在二氧化硅薄膜制备领域的应用，提高其在微电子学、传感器等领域的应用价值；同时，对于了解等离子体化学反应、制备高质量的薄膜等方面也具有一定的科学意义。