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双轴应变硅MOS器件的自热效应研究的开题报告

题目：双轴应变硅MOS器件的自热效应研究

一、选题背景和意义

双轴应变硅材料具有优异的载流子迁移率和电学性能，是未来微电

子器件发展的趋势之一。然而，在高功率、高频率下使用时，其自热效

应会严重影响其性能和寿命。因此，对于双轴应变硅MOS器件的自热效

应进行研究，对于优化器件的工作性能和延长器件的寿命具有重要的意

义。

二、研究内容和方法

本课题的主要研究内容包括：分析并建立双轴应变硅MOS器件的自

热模型，研究其在不同工作条件下的自热效应，并探讨其对器件性能和

寿命的影响。本研究将采用热仿真数值模拟方法，并通过实验验证模型

的正确性。

三、预期目标和创新点

通过本次研究，我们希望能够得出以下结论：

1.双轴应变硅MOS器件的自热效应随着工作条件的变化存在明显差

异。

2.自热效应会降低器件的性能和寿命，对器件的组装和散热提出更

高的要求。

本研究的创新点在于：

1.建立了双轴应变硅MOS器件的自热模型，可以更准确地预测其自

热效应。

2.通过实验验证，验证了数值模拟方法的正确性和可靠性。

四、可行性分析

双轴应变硅材料是当前研究的热点之一，已有许多研究成果，为本

课题的研究提供了良好的基础。同时，本研究采用的数值模拟方法早已

成熟，并且结合实验证明了其可靠性，因此研究方案的可行性是有保证

的。

五、进展计划

2021年9月-2021年12月：建立双轴应变硅MOS器件的自热模型，

并进行研究分析。

2022年1月-2022年6月：通过数值模拟和实验验证研究结论的正

确性和可靠性。

2022年7月-2022年12月：撰写论文，完成研究报告。

六、参考文献

[1]Y.Liu,J.Lu,J.Abernathy,etal.High-PerformanceStrained-Si

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[2]D.H.Lee,D.Ahn,H.S.Yoo,etal.Carriertransportanalysisof

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