低温退火对多晶硅片强度的影响讲义.ppt

低温退火对多晶硅片强度的影响 ;1、引言;2、实验方法;强度测试仪;3、实验结果;相比于裸片，退火后硅片的变形量明显增大；与前面不同，退火制绒片的变形量也明显增加，且分布相对集中。;4、分析与推论;;退火后，间隙铁含量有少量减少，;950度;快冷情况下，由于时间短暂，铁还来不及长距离扩散，铁沉淀形核在较低的温度，过饱和度较大，所以形成了高密度但体积较小的铁沉淀，主要在晶界上偏聚。 推测铁沉淀在晶界上的偏聚，在一定程度上增强了晶界对裂纹的阻碍，从而增强了硅片的强度和弯曲度;;[[7] V.A. Popovich, A. Yunus, et al. 25th EPSEC, Valencia, 2010, pp.2631-2636 10] V.A. Popovich, J.M. Westra et al., PVSC, Seattle, 2011, pp.1668-1673;4、分析与推论;4、结论;Thank you!