功率MOSFET串联驱动电路设计.pdf

中文核心期刊 微计算机信息 嵌入式与 年第 卷第 期 ( SOC)200824 1- 电子设计 《 》 2 文章编号 2 :1008-0570(2008)01--0278-02 功率 串联驱动电路设计 MOSFET 郑州大学 李海涛 臧振刚 刘 平 ( ) 摘要 本文分析了功率 对驱动电路的要求 对电路中的正弦波发生电路 信号放大电路和两路隔离输出变压器进行 : MOSFET , , 了设计 仿真和试验结果证明了所设计驱动电路的可行性 。 。 关键词 串联 驱动电路 正弦波 ; ; ; :MOSFET 中图分类号:TN702 文献标识码:B Abstract: ,sig- drivercircuit. , , , Keywords:MOSFETseriesconnectiondrivercircuitsinewave 技 因此 如果从栅极端看 看到的是具有 倍电容量的电 , C, 1+A 1引言 rss v 容 那么 源极接地放大电路的输入电容 就为 。 , C 。 术 i 随着电力电子技术的迅速发展 功率 高频性能 , MOSFET[1] 为了使工作在 类状态下的 能够较好的导通或 C MOSFET 好 输入阻抗高 驱动功率小 驱动电路简单等优点在功率射频 、 、 、 者关断 就需要较大的电流驱动栅极电压的上升或下降 其栅 创 , 。 和电源领域得到了广泛的应用 由于单只 的有限容 。 MOSFET 极电流大小可用下面式子估算: 量 面临着多只 的串联或者并联的扩容问题 因此 对 新 , MOSFET 。 , 于多只功率 串联来说多路输出的驱动电路设计就显 MOSFET 得很有必要 然而功率 的直流伏安特性 极间电容 温 3 电路原理