【2017年整理】4二极管及电路.ppt

第六章 常用半导体器件及应用 1. 半导体特性 2. 半导体 硅和锗的共价键结构 基本概念练习： 6.3 PN结的形成及特性 3. 二极管的参数 4.二极管基本电路及其分析方法 （2）特殊二极管 —— 稳压二极管 举例 导体、半导体和绝缘体 导体：很容易导电的物质称为导体，如：金属 。 绝缘体：几乎不导电的物质称为绝缘体，如：橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体： 导电特性处于导体和绝缘体之间的物质，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的基本知识 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. (热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显 改变。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。 (光敏电阻)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 共价键共 用电子对 （束缚电子） +4 +4 +4 +4 +4表示除去最外层电子后的原子 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。（本征激发） 1. 载流子：(电荷的载体) +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 6.1 本征半导体 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2. 导电机理 +4 +4 +4 +4 * 空穴吸引附近的电子来填补, 相当于空穴的迁移，空穴带正电荷，空穴子移动形成空穴电流。 * 电子带负电荷，电子移动形成电子电流。 * 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强 * 自由电子与空穴的数目是相等的，成对存在。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 P 型半导体 N 型半导体 6.2 杂质半导体 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 载流子： 1、由杂质原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 一、N 型半导体 在本征半导体中掺入少量的五价元素磷（或锑）。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 二、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如 硼 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 三、杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － －