二极管的伏安特性曲线.PPT

* * * * * * * * * * * * * * * 在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求取IC / IB ，如图所示。在IC较小时和IC较大时， 会有所减小，这一关系见图。 值与IC的关系 在输出特性曲线上决定 ②极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。 2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。如图所示。 图 ICEO在输出特性曲线上的位置 (2) 极限参数 ① 集电极最大允许电流ICM 如图所示，集电极电流增加时，? 就要下降，当 ?值下降到线性放大区? 值的三分之二时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM 。至于? 值下降多少不同型号的三极管，不同厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈ICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。 ③反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力。 三极管击穿电压的测试电路 1.V(BR)CBO——发射极开路时集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 2.V(BR) EBO——集电极开路时发射结的击穿电压。 3.V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压。 对于V(BR)CER表示 BE 间接有电阻，V(BR)CES 表示 BE 间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系： V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 由PCM、 ICM和V(BR)CEO 在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图02.12。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 晶体管参数与温度的关系 1、硅管温度每增加8?C（锗管每12 ?C )， ICBO增大一倍。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小约 2 mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 半导体器件型号命名方法 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 3.3 场效应管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 3.3.1 场效应管 场效应管是利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。将控制电压转换为漏电流——互导放大器件。 特点：体积小，重量轻，耗电省，寿命长。 具有输入阻抗高、热稳定性好、噪声小、抗辐射、制造工艺简单等优点。 分类： 结型场效应管（JFET） 金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET） 场效应管 三极管是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 结型场效应管 J