一维碳化硅纳米材料的研究进展.pdf

· · 106 材料导报 一维碳化硅纳米材料的研究进展” 张爱霞，蔡克峰 (同济大学功能材料研究所，上海200092) 摘要 介绍了具有一维纳米结构的碳化硅(siC)如SiC纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带的制备方法，着重介绍 了碳纳米管模板生长法、碳还原法、激光烧蚀法、电弧放电法、流动催化剂法和热解有机前驱体法以及它们的生长机 理，并对这几种方法的优缺点进行了分析，指出了目前研究一维纳米SiC中存在的问题和未来发展方向。 关键词 一维纳米结构碳化硅制备生长机理 in onOne-dimensionalSiCNanomaterials Research Progress ZHANG Aixia，CAI Kefeng (FunctionalMaterialsResearch 200092) Laboratory，To晒iUniversity，Shanghai AbstractInthis methodsforone-dimensionalSiCnanostructuressuchasnanorods， paper，the preparation andnanobeltsare onthecarbonnanotubes nanowires，nanotubesreviewed，emphasizing template-assistedgrowth(or the’carbonnanotubes-confinedreaction reduction laserablation method)，themethod，the synthesis，thearc-discharge methodand of and areana— catalyst organicprecursor．Theiradvantagesdisadvantages approach，thefloating pyrolysis are current andthe trendoftheresearchonone-dimensionalSiCnanomaterialsalso lyzeThe problemsdevelopment out． pointed words mechanism one-dimensional Key nanostructures，SiC，preparation，growth 碳化硅(SIC)自问世、批量生产以来，就被作为磨具、磨料和式为： 耐火材料使用，但直到20世纪八九十年代，SiC作为精细陶瓷 2 (1) 的一员，其用途才不断的被开发。SiC因具有优良的耐高温、耐 他们分析指出，在没有金属催化剂条件下，用碳纳米管前驱体之 磨耗、耐腐蚀、高强度和高的导热