第章晶体管答案.doc

习题答案 已知晶体管工作在线性放大区，并测得个电极对地电位如题图所示。试画出各晶体管的电路符号，并说明是锗管还是硅管。 解： 某个晶体管的β＝25，当它接到电路中时，测得两个电极上的电流分别为50 mA和2mA，能否确定第三个电极上的电流数值? 已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图所示，试判别各晶体管的工作状态（放大、饱和、截止或损坏）。 解：题图（a）3AX为PNP锗管，V（正偏），V（反偏），放大状态 题图（b）：e结反偏，c结反偏，截止状态 题图（c）：e结正偏，c结正偏，饱和状态 题图（d）：e结开路，晶体管损坏 型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如题图2.4所示，其中nb0表示平衡时自由电子的浓度。 （1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。 （2）说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。 解：（1）对于晶体管，当发射结（集电结）正偏时，由于从发射区（集电区）向基区注入了非平衡少子电子，所以处P区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度，当发射结（集电结）反偏时，在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。据此，可以判别： （1）图 (a)：发射结反偏，集电结反偏。图 (b)：发射结正偏，集电结反偏。图 (c)：发射结正偏，集电结正偏。图 (d)：发射结反偏，集电结反偏。 （2）图 (a)：截止。图 (b)：放大。图 (c)：饱和。图（d）：反向放大。 某晶体三极管在室温时的V，V，pA。试求的，和的数值。 解： pA 某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示 求IBQ=0.3mA时，Q1、Q2点的β值。 确定该管的U(BR)CEO和PCM。 题图2.6 解：（1）Q1点： （2） 硅晶体管电路如题图2.7所示。设晶体管的V，。判别电路的工作状态。 解： 题图（b）： 处于放大状态 题图（c）：A，mA (V) 不可能，表明晶体管处于饱和状态。 题图 2.8(a)、(b)所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的晶体管相同，UBE(on)=0.6V。在20oC时晶体管的β=50，55oC时，β=70。试分别求两种电路在20oC时的静态工作点，以及温度升高到55oC时由于β的变化引起ICQ的改变程度。 解：题图2.8（a）为固定偏流电路。 （1）20时 （V） （2）55时 的变化为 图2.8（b）为分压式电流负反馈偏置电路。 （1）20时 （2）时 的变化为 晶体管电路如题图2.9所示。已知β＝100，UBE＝(0.3V (1)估算直流工作点ICQ、UCEQ。 (2)若偏置电阻RB1、RB2分别开路,试分别估算集电极电位UC值，并说明各自的工作状态。 (3)若RB2开路时要求ICQ＝2mA，试确定RB1应取多大值。 题图2.9 （2）当RB1开路时，I3Q=0,管子截止。UC=0. 当RB2开路时，则有 设计一个分压式电流负反馈偏置放大电路。技术要求是：温度在-55~125范围内变化时，要求1mA和，，。BJT的参数是：时，，；时，，。 解：(1)的估算。根据题意，当时，电流应是最低值1mA，UCE应是最大值，因为已给出，故可写出： 解得 如果RC未知，可以根据的数值假设某一数值，本题设，则。 的估算。因为 所以将和时各参数值代入可得： （时） （时） 联立求解上述两式，可得： 如果不利用上述关系式运算，也可以利用经验公式，比如选取去求解。例如设，则，当T=125时的，此时的技术要求，因此还需要重新选取值，直至满足要求为止。 和的计算。 （4）核算T=125时的值。 可见，上述结果在允许的范围内，表明设计有效。 电压负反馈型偏置电路如题图2.11所示。若晶体管的β、UBE已知。 (1)试导出计算工作点的表达式。 (2)简述稳定工作点的原理。 题图2.11 题图2.12 (2)无论何种原因若使ICQ增大时，则有如下的调节过程： 反之，若ICQ减小时，亦有类似的调节过程，使ICQ的减小受到抑制。 电路如题图2.12所示。已知晶体管的β＝50,UBE＝一0.2V，试求： （1）UBQ=0时,RB的值。 （2）RE短路时ICQ、UCEQ的值。 （3）RE开路时ICQ、UCEQ的值。 解：（1）要求=0，则有 电路如题图2.13所示。设ui是正弦信号，晶体管工作在放大区，各电容对信号可视