新型电力电子产品规范书.doc

附件一 电子信息产业发展基金招标项目 新型电力电子器件研发及产业化 规 范 书 中华人民共和国工业和信息化部 二○一○年三月 目 录 目 录 2 1．总则 3 1.1一般要求 3 1.2建议书要求 4 2. 项目的目标和主要内容 5 2.1项目的目标 5 2.2主要内容 5 3．技术总体要求 7 4．主要经济指标 9 5．产业化要求 10 6. 项目进度考核 11 7. 资金要求 11 8. 附录 11 （)、1份（电子版） 文件规格：A4、4号宋体，优质纸质封面、封底 截止时间：以《工业和信息化部关于〈2010年度电子信息产业发展基金招标项目〉的通告》的截止时间为准。 接受单位：工业和信息化部电子信息司 联 系 人：关白玉；刘晓馨 联系电话：（010（010 联系传真：（010 地 址：北京海淀区万寿路27号 邮政编码：100846 1.1.2对于本规范未能提出的性能指标，投标方应在建议书内加以补充和说明； 1.1.3项目招标方有权在签定最终合同前，根据需要修改本规范书，修改后的最终稿将作为合同的附件。 1.2建议书要求 1.2.1 本项用来定义项目建议书的内容和格式； 1.2.2 项目建议书内容：项目建议书由封面、目录、正文、附录四个部分组成； 1.2.3 建议书封面：封面由项目名称，项目负责人，财务负责人，单位负责人，联系电话和日期组成； 1.2.4建议书目录：目录标明整个项目建议书各个组成部分的结构和位置； 1.2.5建议书正文：正文陈述整个项目的详细设计内容。由项目概述、国内外相关技术与市场发展情况说明、投标单位概况和已有工作基础、技术总体方案、项目实施方案、预期达到的技术经济指标、投标方承担项目的可行性分析、进度安排与考核指标、经费预算和分配方案九个部分组成； 1.2.6 建议书附录：附录包括建议书在书写时所需的附加内容； 1.2.7 建议书各部分的格式和内容参见附件二的格式和要求。 2. 项目的目标和主要内容 2.1项目的目标 通过本项目的支持，以满足轨道交通、新能源汽车、工业及消费电子等领域的应用需求为目标，开发出技术先进的IGBT、MOSFET的芯片、器件、模块等关键技术和产品并实现产业化，推动我国新型电力电子器件的技术进步及产业发展。 2.2主要内容 本项目主要内容包括以下四个方面，投标方根据自身技术基础及能力选择其中1项内容： 一、车用IGBT芯片、模块的开发及产业化 针对轨道交通、新能源汽车等领域应用的要求，开发IGBT芯片、模块的关键技术及产品并实现产业化：（投标方可在以下2项内容中选择1项进行申报） 1、轨道交通用IGBT模块：IGBT模块的结构设计、关键制造工艺以及模块的批量生产技术等。 2、新能源汽车用IGBT芯片及模块：IGBT芯片及模块的设计技术、关键制造工艺以及批量生产技术等。 二、工业用IGBT芯片、模块的开发及产业化 针对工业领域（如变频、逆变、电源等）应用的要求，开发IGBT芯片、模块的关键技术及产品并实现产业化：包括 IGBT芯片及模块的设计技术、关键制造工艺以及批量生产技术等。 三、消费类电子用IGBT器件的开发及产业化 针对消费类电子应用的要求，开发IGBT器件的关键技术及产品并实现产业化：包括 IGBT器件的设计技术、关键制造工艺以及批量生产技术等。 四、MOSFET器件的开发及产业化 针对工业、消费电子等领域应用的要求，开发MOSFET器件的关键技术及产品并实现产业化： 包括MOSFET器件的设计技术、关键制造工艺以及批量生产技术等。 3．技术总体要求 3.1 产品主要技术参数 一、车用IGBT芯片及模块 1、轨道交通用IGBT模块 参数名称 符号 IGBT模块 参数值 集电极-发射极电压 VCES 3300V 集电极直流电流 IC 800A、1200A 集电极-发射极饱和压降（典型值） VCE(SAT)） 3.6V 2、新能源汽车用IGBT芯片及模块 参数名称 符号 IGBT芯片 参数值 IGBT模块 参数值 集电极-发射极电压 VCES 1200V 1200V 集电极直流电流 IC 100A 750A 集电极-发射极饱和压降（典型值） VCE(SAT)） 2.5V 2.5V 二、工业用IGBT芯片及模块 参数名称 符号 IGBT芯片 参数值 IGBT模块 参数值 集电极-发射极电压 VCES 1200V、1700V （可选一档） 1200V、1700V （可选一档） 集电极直流电流 IC 100A 200A、400A、600A （可选两档） 集电极-发射极饱和压降 （典型值） VCE(SA