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Na相关掺杂及N掺杂p型ZnO薄膜的制备和性能

研究的开题报告

1.研究背景

随着半导体技术的不断发展，ZnO材料作为一种重要的半导体材料

受到了广泛关注。而ZnO薄膜作为一种基础薄膜具有广泛的应用前景。

其中p型ZnO薄膜的制备一直是一个难点，而掺杂技术是制备p型ZnO

薄膜的有效手段之一。因此，本研究将研究Na掺杂和N掺杂对p型

ZnO薄膜性能的影响，为制备高性能p型ZnO薄膜提供一定的理论和实

验基础。

2.研究目的及意义

本研究旨在探究Na掺杂和N掺杂对p型ZnO薄膜性能的影响，包

括能带结构、光学性质、电学性质等方面。通过制备和测试，初步探讨

掺杂条件和掺杂浓度对p型ZnO薄膜性能的影响规律。这对于深入理解

掺杂机制，优化掺杂工艺，提高薄膜性能，推动p型ZnO薄膜在光电器

件、传感器等领域的应用具有重要意义。

3.研究内容

（1）理论背景研究：对ZnO材料的基本性质、掺杂机制、光学和

电学性质等进行了深入的探究，阐明了Na掺杂和N掺杂对p型ZnO薄

膜性能的影响机制。

（2）实验制备：采用化学气相沉积（CVD）技术制备Na掺杂和N

掺杂p型ZnO薄膜，探究掺杂条件和掺杂浓度对薄膜性能的影响。

（3）实验测试：使用光电子能谱仪、X射线光电子能谱仪、紫外-可

见分光光度计、霍尔效应等测试手段对掺杂后的薄膜进行性能测试，同

时对比未掺杂ZnO薄膜的性能。

4.研究进度安排

（1）研究背景调研、文献综述：3周

（2）实验室准备、实验制备：6周

（3）实验测试、数据分析：6周

（4）论文撰写、答辩准备：2周

5.预期创新点

（1）通过控制Na掺杂和N掺杂条件和浓度，制备出高质量的p型

ZnO薄膜，并探究掺杂方式对薄膜性能的影响规律。

（2）通过对比分析，深入探究Na掺杂和N掺杂对p型ZnO薄膜性

能的影响机制，为p型ZnO薄膜的优化制备提供参考。

（3）从光学、电学性质等方面对掺杂后的薄膜进行测试，为p型

ZnO薄膜的在光电器件、传感器等领域的应用提供理论基础和实验数据

支撑。