ZnOCdS纳米复合结构的制备及其光电特性研究的开题报告.docx

ZnOCdS纳米复合结构的制备及其光电特性研究的开题报告

摘要：

本文介绍了ZnOCdS纳米复合结构的制备及其光电特性研究。采用化学共沉淀法制备了ZnOCdS纳米复合结构，并利用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）等手段对其进行了表征。研究了不同ZnO、CdS比例对ZnOCdS纳米复合结构光电性能的影响，结果表明，ZnOCdS纳米复合结构的光电性能与ZnO、CdS的比例有密切关系。

关键词：ZnOCdS纳米复合结构；制备；光电特性

1.研究背景

纳米材料由于其独特的物理、化学性质在光电器件领域中得到了广泛应用。ZnO、CdS作为一类半导体材料也因其优异的光电性质受到了广泛关注。而ZnOCdS纳米复合结构因为其表面缺陷和异质结构的形成，具有更为优异的光电性质和应用前景。因此，研究ZnOCdS纳米复合结构的合成方法及其光电性能对于探索新型光电材料具有重要意义。

2.研究目的

本研究的目的是通过化学共沉淀法制备ZnOCdS纳米复合结构，并探究不同ZnO、CdS比例对其光电性能的影响，从而为制备高性能光电器件提供理论基础。

3.研究内容

（1）制备ZnOCdS纳米复合结构；

（2）利用XRD、TEM、UV-Vis等手段对ZnOCdS纳米复合结构进行表征；

（3）研究不同ZnO、CdS比例对ZnOCdS纳米复合结构光电性能的影响。

4.研究方法

（1）制备ZnOCdS纳米复合结构：采用化学共沉淀法制备ZnOCdS纳米复合结构，并调节不同ZnO、CdS比例。

（2）表征：借助XRD、TEM、UV-Vis等手段对制备的样品进行表征，分析其结构和光电特性。

（3）光电性能测试：使用紫外-可见吸收光谱、光致发光（PL）和光电流（PC）等方法分析不同ZnO、CdS比例下ZnOCdS纳米复合结构的光电性能。

5.预期成果

（1）成功制备ZnOCdS纳米复合结构并对其进行表征；

（2）探究不同ZnO、CdS比例对ZnOCdS纳米复合结构光电性能的影响；

（3）揭示ZnOCdS纳米复合结构的光电特性并为其在光电器件领域中的应用提供理论基础。

参考文献：

[1]雷圣明.纳米光电材料：纳米ZnO和CdS[J].光学与光电技术,2006(1):11-14.

[2]WangJS,LinYS,LiYD.PreparationandcharacterizationofZnO/CdSheterojunctionnanowires[J].MaterialsChemistryandPhysics,2005,92(2-3):417-421.

[3]PoudelB,WangY,WangDetal.Zincoxide/cadmiumsulfidecompositenanorodarraygrownbyelectrochemicaldeposition[J].JournalofTheElectrochemicalSociety,2008,155(8):609-613.